沟槽型功率MOSFET设计与栅电荷研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究背景与意义 | 第11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-15页 |
| ·降低MOSFET的FOM(优值) | 第12-13页 |
| ·提高MOSFET的雪崩能量 | 第13-15页 |
| ·其他相关研究内容 | 第15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第2章 功率MOSFET相关基础 | 第17-24页 |
| ·功率MOSFET的基本结构 | 第17-18页 |
| ·功率MOSFET的主要基本参数 | 第18-20页 |
| ·功率MOSFET的AC参数 | 第20-23页 |
| ·寄生电容 | 第20页 |
| ·开关特性 | 第20-21页 |
| ·栅电荷 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 沟槽型功率MOSFET的设计与仿真 | 第24-44页 |
| ·沟槽型功率MOSFET的工艺流程及仿真软件 | 第24-27页 |
| ·工艺参数对MOSFET性能的影响 | 第27-40页 |
| ·epi | 第30-31页 |
| ·CP和T_(width) | 第31-32页 |
| ·P-dose | 第32-34页 |
| ·T_(depth) | 第34-35页 |
| ·GOX | 第35-37页 |
| ·沟槽型MOSFET的设计流程 | 第37-40页 |
| ·版图结构对MOSFET电性能参数的影响 | 第40-42页 |
| ·沟道密度对比 | 第40-41页 |
| ·C_(gd)电容值对比 | 第41页 |
| ·C_(gs)电容值对比 | 第41-42页 |
| ·C_(ds)电容值对比 | 第42页 |
| ·整芯片电容值的计算 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 栅电荷的测试与建模 | 第44-57页 |
| ·栅电荷测试电路 | 第44-48页 |
| ·现有栅电荷测试电路及存在的问题 | 第44-45页 |
| ·新型的栅电荷测试电路 | 第45-46页 |
| ·测试结果对比 | 第46-48页 |
| ·高压功率MOSFET栅电荷的建模分析 | 第48-52页 |
| ·电容的非线性模型 | 第49-50页 |
| ·t_0-t_1阶段 | 第50-51页 |
| ·t_1-t_2阶段 | 第51-52页 |
| ·t_2-t_3阶段 | 第52页 |
| ·栅电荷模型的验证 | 第52-56页 |
| ·MPU01N65验证结果 | 第53-54页 |
| ·MPC830验证结果 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 结论与未来的工作 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文情况 | 第62页 |
