| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·MOS 模型的发展 | 第10-12页 |
| ·RF CMOS 建模的要求 | 第12-14页 |
| ·课题的目的和意义 | 第14页 |
| ·论文的结构和内容 | 第14-16页 |
| 第二章 MOSFET 模型中的典型物理效应 | 第16-37页 |
| ·MOSFET 的偏置条件 | 第16-18页 |
| ·强反型区（Vgs > Vth） | 第17-18页 |
| ·亚阈值区（弱反型区，中反型区） | 第18页 |
| ·影响阈值电压的效应 | 第18-24页 |
| ·非均匀衬底掺杂 | 第18-20页 |
| ·垂直非均匀掺杂 | 第18-20页 |
| ·横向非均匀掺杂 | 第20页 |
| ·短沟效应 | 第20-21页 |
| ·反向短沟效应 | 第21页 |
| ·窄沟效应（NWE） | 第21-22页 |
| ·反向窄宽效应（RNWE） | 第22-23页 |
| ·体效应 | 第23-24页 |
| ·沟道电荷理论 | 第24-28页 |
| ·积累区 | 第26页 |
| ·耗尽区 | 第26-27页 |
| ·反型区 | 第27-28页 |
| ·载流子迁移率 | 第28-29页 |
| ·速率饱和 | 第29-30页 |
| ·沟道长度调制 | 第30-31页 |
| ·由碰撞电离引起的衬底电流 | 第31-33页 |
| ·多晶硅栅耗尽 | 第33-35页 |
| ·速率过冲效应 | 第35页 |
| ·自热效应 | 第35页 |
| ·反型层量子效应 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 RF-MOSFET 工艺与版图优化 | 第37-57页 |
| ·RF CMOS 工艺 | 第37-40页 |
| ·深 N 阱工艺 | 第37页 |
| ·变容管工艺 | 第37-38页 |
| ·MIM 电容工艺 | 第38-39页 |
| ·电阻工艺 | 第39-40页 |
| ·高 Q 电感工艺 | 第40页 |
| ·RF CMOS 版图设计规则 | 第40-41页 |
| ·RF CMOS 版图匹配设计 | 第41-46页 |
| ·随机失配 | 第42-43页 |
| ·系统失配 | 第43-46页 |
| ·MOSFET 器件结构量化分析 | 第46-55页 |
| ·Layout 布局布线的一般经验性准则 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 基于 PSP 的直流模型 | 第57-82页 |
| ·待建模器件设计与测试 | 第57-62页 |
| ·器件尺寸选取 | 第57-58页 |
| ·器件结构设计 | 第58-60页 |
| ·器件测试方案 | 第60-62页 |
| ·PSP 模型参数提取 | 第62-72页 |
| ·PSP 模型参数 | 第62-65页 |
| ·PSP 模型 Local-Global 提取流程 | 第65-72页 |
| ·模型参数提取结果与仿真 | 第72-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 MOSFET RF 特性 | 第82-105页 |
| ·RF-CMOS 寄生电阻 | 第82-86页 |
| ·源漏串联电阻 | 第82-84页 |
| ·栅电阻 | 第84-86页 |
| ·RF- CMOS 寄生电容 | 第86-87页 |
| ·RF-CMOS 衬底网络 | 第87-91页 |
| ·RF MOSFET 模型 | 第91-97页 |
| ·RF MOSFET 测试与去嵌 | 第91-93页 |
| ·RF MOSFET 建模及仿真 | 第93-97页 |
| ·RF MOSFET 性能版图优化 | 第97-104页 |
| ·RF MOSFET 小信号等效电路 | 第98-100页 |
| ·RF MOSFET 高频特性 | 第100-102页 |
| ·RF MOSFET 版图优化 | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第六章 总结与展望 | 第105-107页 |
| ·总结 | 第105页 |
| ·展望 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-112页 |
| 详细摘要 | 第112-115页 |