| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·SOI 技术 | 第9-14页 |
| ·SOI 技术的发展和特点 | 第9-10页 |
| ·SOI 横向耐压技术 | 第10-14页 |
| ·场板及相关技术 | 第14-17页 |
| ·扩散保护环 | 第14页 |
| ·普通平面场板 | 第14-15页 |
| ·斜场板 | 第15-16页 |
| ·浮空场板 | 第16页 |
| ·电阻场板 | 第16-17页 |
| ·场板 SOI 横向功率器件模型研究现状 | 第17-18页 |
| ·本文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 普通场板 SOI 横向功率器件表面势场分布解析模型 | 第19-38页 |
| ·栅场板模型 | 第19-26页 |
| ·模型的推导 | 第19-23页 |
| ·模型的验证 | 第23-24页 |
| ·栅场板结构参数对表面势场分布的影响 | 第24-26页 |
| ·漏场板模型 | 第26-32页 |
| ·模型的推导 | 第26-29页 |
| ·模型的验证 | 第29-30页 |
| ·漏场板结构参数对表面势场分布的影响 | 第30-32页 |
| ·栅漏场板联合解析模型 | 第32-36页 |
| ·模型的推导 | 第32-35页 |
| ·模型的验证 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 阶梯场板 SOI 横向功率器件表面势场分布解析模型 | 第38-51页 |
| ·n 阶栅阶梯场板模型 | 第38-43页 |
| ·模型的推导 | 第38-41页 |
| ·模型的验证 | 第41-43页 |
| ·n 阶漏阶梯场板模型 | 第43-46页 |
| ·模型的推导 | 第43-44页 |
| ·模型的验证 | 第44-46页 |
| ·任意阶栅漏阶梯场板模型 | 第46-49页 |
| ·模型的推导 | 第46-48页 |
| ·模型的验证 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 浮空场板 SOI 横向功率器件表面势场分布解析模型 | 第51-62页 |
| ·单浮空场板模型 | 第51-57页 |
| ·模型的推导 | 第51-54页 |
| ·模型的验证 | 第54-55页 |
| ·浮空场板结构参数对表面势场分布的影响 | 第55-57页 |
| ·多浮空场板模型 | 第57-60页 |
| ·模型的推导 | 第57-59页 |
| ·模型的验证 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 作者在攻读硕士期间的科研成果 | 第69页 |
