| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·研究背景 | 第10-14页 |
| ·MOSFET基础知识 | 第14-24页 |
| ·场效应晶体管 | 第15-16页 |
| ·结型场效应管 | 第16-17页 |
| ·绝缘栅型场效应管 | 第17页 |
| ·MOSFET介绍 | 第17-24页 |
| ·由于器件尺寸缩小而产生的一系列效应 | 第24-26页 |
| ·漏极附近的碰撞电离 | 第24-25页 |
| ·沟道长度调制 | 第25页 |
| ·沟道穿通 | 第25-26页 |
| ·短沟道阈值电压变化 | 第26页 |
| ·论文的主要工作和结构 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第二章 MOSFET模型 | 第30-44页 |
| ·MOSFET模型的要求 | 第30-31页 |
| ·MOSFET模型的分类 | 第31-32页 |
| ·MOSFET模型的历史 | 第32-35页 |
| ·MOSFET模型的研究流程 | 第35-38页 |
| ·传统MOSFET模型介绍 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术 | 第44-53页 |
| ·常用的MESFET非线性模型介绍 | 第44-45页 |
| ·MESFET非线性DC模型参数提取 | 第45-46页 |
| ·仿真结果与测量值对比 | 第46-49页 |
| ·MESFET非线性DC模型精度分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 一种改进型MOSFET DC模型 | 第53-57页 |
| ·传统MOSFET模型存在的问题和缺陷 | 第53页 |
| ·一种改进型MOSFET DC模型的提出 | 第53-55页 |
| ·仿真结果与精度分析 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 MOSFET射频级建模 | 第57-67页 |
| ·介绍 | 第57-58页 |
| ·MOSFET射频模型 | 第58-62页 |
| ·带衬底网络的小信号准静态模型 | 第58-59页 |
| ·小信号非准静态模型 | 第59页 |
| ·小信号等效电路模型 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·工作总结 | 第67-68页 |
| ·未来展望 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 后记 | 第70页 |