栅极多晶硅版图相关的40nm器件应力模型研究

摘要	第1-7页
ABSTRACT	第7-9页
第一章 绪论	第9-13页
·MOS器件应力效应对集成电路发展的影响	第9-10页
·应力模型的国内外研究现状	第10-12页
·本课题的意义和口标	第12-13页
第二章 应力及应力对器件性能的影响	第13-22页
·应力来源	第13-18页
·有意应力	第13-17页
·无意应力	第17-18页
·应力对器件性能影响分析	第18-22页
第三章 MBP软件和PSP模型介绍	第22-34页
·MBP软件简介	第22-24页
·PSP模型特点及发展	第24-34页
·PSP模型的的诞生	第25-27页
·PSP模型的结构	第27-29页
·几何缩放	第29-30页
·PSP模型的修正	第30-34页
第四章 基于40NM工艺的PSP应力模型研究	第34-43页
·PSP模型中的自带庆力效应	第34-37页
·STI相关的应力模型	第34-37页
·WPE相关的应力模型	第37页
·基于版图的应力模型的发展	第37-40页
·多晶硅栅极版图相关的应力模型创建	第40-43页
第五章 多晶硅栅极版图相关的应力模型实现与验证	第43-60页
·器件性能测试	第43-47页
·参数提取和模型建立	第47-56页
·规则文件的定义	第47-50页
·LVS提取过程	第50-53页
·模型数学公式的建立	第53-56页
·模型验证	第56-60页
结论和展望	第60-62页
参考文献	第62-65页
硕士期间发表学术论文	第65-66页
致谢	第66页