| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·课题的背景及意义 | 第8页 |
| ·LDMOS功率晶体管的发展及现状 | 第8-9页 |
| ·RF LDMOS的研究方向 | 第9-16页 |
| ·器件模型的建立与参数提取 | 第9-11页 |
| ·RF LDMOS性能的优化 | 第11-16页 |
| ·论文内容和结构介绍 | 第16-18页 |
| 第二章 RF LDMOS的器件结构、工艺流程和特性测试仿真 | 第18-28页 |
| ·RF LDMOS的器件结构及工艺流程 | 第18-19页 |
| ·RF LDMOS器件特性测试 | 第19-26页 |
| ·击穿特性测试 | 第20-23页 |
| ·输出特性测试 | 第23-24页 |
| ·转移特性测试 | 第24-26页 |
| ·工艺仿真和器件仿真 | 第26-28页 |
| 第三章 RF LDMOS功率晶体管击穿电压模型 | 第28-41页 |
| ·射频LDMOS的击穿电压 | 第28页 |
| ·RF LDMOS击穿电压模型 | 第28-34页 |
| ·模型推导 | 第28-33页 |
| ·模型验证 | 第33-34页 |
| ·击穿电压与器件结构参数的关系 | 第34-38页 |
| ·击穿电压与漂移区掺杂浓度 | 第35-36页 |
| ·击穿电压与法拉第罩长度 | 第36-37页 |
| ·击穿电压与外延层掺杂浓度 | 第37页 |
| ·击穿电压与漂移区长度 | 第37-38页 |
| ·模型与测试结果的对比 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 RF LDMOS功率晶体管特性表征和高频小信号模型参数提取 | 第41-77页 |
| ·小信号S参数的去嵌入化 | 第41-42页 |
| ·小信号等效电路中非本征参数的提取 | 第42-47页 |
| ·外延层电阻Repi和外延层电容Cepi的提取 | 第44页 |
| ·源电阻R_S、漏电阻R_D的提取 | 第44-45页 |
| ·栅电阻Rg的提取 | 第45-47页 |
| ·器件结构对晶体管频率特性及导通电阻的影响 | 第47-53页 |
| ·器件结构对晶体管频率特性的影响 | 第47-50页 |
| ·法拉第罩长度对导通电阻的影响 | 第50-52页 |
| ·漂移区长度对导通电阻的影响 | 第52-53页 |
| ·小信号等效电路中本征参数的提取 | 第53-59页 |
| ·简化小信号等效电路中RD、Rs、Rg的参数提取 | 第54-56页 |
| ·简化小信号等效电路本征参数的提取 | 第56-58页 |
| ·RF LDMOS整体跨导G_m的提取 | 第58-59页 |
| ·反馈电容C_(GD)及其与器件结构参数之间的关系 | 第59-64页 |
| ·反馈电容的构成 | 第60页 |
| ·法拉第罩对反馈电容的影响 | 第60-63页 |
| ·漂移区长度对反馈电容的影响 | 第63-64页 |
| ·漏源电容C_(DS)及其与器件结构参数之间的关系 | 第64-68页 |
| ·法拉第罩对漏源电容的影响 | 第64-67页 |
| ·漂移区长度对漏源电容的影响 | 第67-68页 |
| ·栅源电容C_(GS)及其与器件结构参数之间的关系 | 第68-72页 |
| ·法拉第罩对栅源电容的影响 | 第68-70页 |
| ·漂移区长度对栅源电容的影响 | 第70-72页 |
| ·跨导及其与器件结构之间的关系 | 第72-73页 |
| ·LDMOS大信号RF测试 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
