| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪言 | 第10-26页 |
| ·CMOS集成电路的发展 | 第10-11页 |
| ·Si基MOS器件的发展及其局限性 | 第11-15页 |
| ·高k栅介质Ge MOS器件研究概况 | 第15-20页 |
| ·栅极漏电流模型研究进展 | 第20-24页 |
| ·本文主要内容及结构安排 | 第24-26页 |
| 2 超薄栅介质MOSFETs直接隧穿电流解析模型 | 第26-46页 |
| ·任意势阱薛定谔方程的WKB近似解 | 第26-30页 |
| ·场效应量子模型 | 第30-36页 |
| ·直接隧穿电流模型 | 第36-37页 |
| ·模型结果及讨论 | 第37-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 3 La_2O_3 高k栅介质Ge MOS电容制备工艺研究 | 第46-60页 |
| ·Ge MOS电容制备工艺流程 | 第46-50页 |
| ·电容特性测量和电参数提取 | 第50-53页 |
| ·La_2O_3栅介质Ge MOS电容退火工艺研究 | 第53-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 4 LaTiON高k栅介质Ge MOS器件电特性研究 | 第60-77页 |
| ·LaTiON栅介质Ge MOS电容电特性 | 第60-66页 |
| ·LaTiON高k栅介质Ti含量优化 | 第66-70页 |
| ·LaTiON高k栅介质N含量优化 | 第70-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 5 具有表面钝化层的堆栈栅介质Ge MOS器件电特性研究 | 第77-90页 |
| ·HfO_2/LaON(La_2O_3)堆栈栅介质Ge MOS电容的电特性 | 第77-83页 |
| ·HfTiO/LaON堆栈栅介质Ge MOS电容的电特性 | 第83-86页 |
| ·La基栅介质MOS器件隧穿电流模型研究 | 第86-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 6 总结与展望 | 第90-93页 |
| ·总结 | 第90-91页 |
| ·展望 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-105页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第105页 |
