| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·有机场效应晶体管的发展概况与应用前景 | 第11-15页 |
| ·有机场效应晶体管的发展概况 | 第11-13页 |
| ·有机场效应晶体管的应用前景 | 第13-15页 |
| ·有机场效应晶体管存在的问题和发展趋势 | 第15-16页 |
| ·本论文主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 有机场效应晶体管的结构及其工作机理 | 第18-25页 |
| ·有机场效应晶体管的结构 | 第18-19页 |
| ·有机场效应晶体管的材料 | 第19-21页 |
| ·有机半导体材料 | 第19-21页 |
| ·绝缘层材料 | 第21页 |
| ·电极材料 | 第21页 |
| ·有机场效应晶体管工作原理 | 第21-25页 |
| 第三章 PMMA有机介电层场效应晶体管的研究 | 第25-39页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·有机介电层PMMA薄膜的制备及其表面的表征 | 第25-28页 |
| ·PMMA薄膜的制备 | 第25-27页 |
| ·PMMA有机薄膜表面形貌的表征 | 第27-28页 |
| ·ITO玻璃基片及漏源梳状电极掩膜板的设计 | 第28-31页 |
| ·玻璃基片及光刻ITO栅极设计 | 第28-29页 |
| ·漏源梳状电极掩膜板设计 | 第29-31页 |
| ·不同厚度有机介电层对并五苯OTFT器件性能的影响 | 第31-39页 |
| ·不同厚度有机绝缘层的并五苯OTFT器件的制备 | 第31-32页 |
| ·实验结果及讨论 | 第32-39页 |
| 第四章 并五苯/P13为有源层的场效应晶体管研究 | 第39-50页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·不同沟道比对基于并五苯的P型OTFT器件性能的影响 | 第39-41页 |
| ·并五苯有机薄膜传输层的表征 | 第39-40页 |
| ·实验结果及讨论 | 第40-41页 |
| ·不同厚度P13有机层的N型OTFT的研究 | 第41-46页 |
| ·不同厚度P13的OTFT器件的设计及制备 | 第42-43页 |
| ·实验结果及讨论 | 第43-46页 |
| ·基于P13/并五苯的双极性场效应晶体管的研究 | 第46-50页 |
| ·器件结构及设计 | 第46-47页 |
| ·双极场效应晶体管器件的制备 | 第47-48页 |
| ·实验结果及分析 | 第48-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 作者简历 | 第56-58页 |
| 学位论文数据集 | 第58页 |