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Pentacene基有机场效应晶体管的稳定性研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·前言第9-10页
   ·OFETs 器件的发展过程第10-11页
   ·OFETs 器件的应用领域第11-12页
   ·OFETs 器件目前存在的问题第12-13页
   ·本论文的主要工作第13-15页
第二章 OFETs 器件的结构、工作原理及其主要参数第15-27页
   ·OFETs 器件的基本结构第15页
   ·OFETs 器件的材料第15-18页
   ·OFETs 器件的工作原理和性能参数第18-25页
   ·器件有机层的制备方法第25-26页
   ·本章小结第26-27页
第三章 器件载流子注入方式的研究第27-33页
   ·引言第27页
   ·顶接触并五苯OFETs 器件的制备及结果分析第27-30页
     ·器件的制备第27-29页
     ·结果分析第29-30页
   ·底接触并五苯OFETs 器件的制备及结果分析第30-32页
     ·器件的制备第30-31页
     ·结果分析第31-32页
   ·本章小结第32-33页
第四章 有机场效应晶体管的稳定性研究第33-42页
   ·前言第33页
   ·有机场效应晶体管输出曲线的衰变及恢复第33-36页
     ·有机场效应晶体管的制备第33-34页
     ·结果和讨论第34-36页
     ·场效应晶体管性能恢复实验第36页
   ·在空气中放置的有机场效应晶体管转移特性曲线的变化第36-41页
     ·有机场效应晶体管的制备第36-37页
     ·结果和讨论第37-41页
   ·本章小结第41-42页
第五章 全文总结与展望第42-45页
   ·全文总结第42-43页
   ·特色与创新第43页
   ·展望第43-45页
参考文献第45-50页
发表论文和科研情况说明第50-51页
致谢第51-52页

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