| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·OFET 研究意义及现状 | 第10-11页 |
| ·OFET 的基本原理 | 第11-17页 |
| ·OFET 的应用领域 | 第17-19页 |
| ·OFET 存在的问题及发展趋势 | 第19-20页 |
| ·本论文主要研究工作 | 第20-21页 |
| 第二章 V_2O_5修饰层提高 Pentacene 有机场效应晶体管性能的研究 | 第21-27页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·基于 V_2O_5为电极修饰层的 Pentacene OFET 的制备 | 第21-22页 |
| ·Pentacene OFET 性能测试及结果分析 | 第22-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 V_2O_5电极修饰对 C_(60)/Pentacene 异质结场效应管性能的影响 | 第27-34页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·基于 V_2O_5为电极修饰层的 C_(60)/Pentacene AOFET 的制备 | 第28-29页 |
| ·C_(60)/Pentacene 异质结场效应管性能测试及结果分析 | 第29-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 V_2O_5修饰层对垂直 Pentacene 有机场效应晶体管性能的影响 | 第34-40页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·基于 V_2O_5为电极修饰层的 Pentacene VOFET 的制备 | 第36-37页 |
| ·Pentacene VOFET 性能测试及结果分析 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 基于光敏 Pentacene 有机场效应晶体管的探索 | 第40-45页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·基于 V_2O_5为电极修饰层的 Pentacene PhotOFET 的制备 | 第40-41页 |
| ·Pentacene PhotOFET 性能测试及结果分析 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第45-47页 |
| ·全文总结 | 第45-46页 |
| ·本论文的特色与创新之处 | 第46页 |
| ·展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-55页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
