| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·单片式智能功率集成电路简介 | 第8-9页 |
| ·功率半导体器件简介 | 第9-10页 |
| ·本文主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 TRIPLE-RESURF LDMOS | 第12-38页 |
| ·器件结构分析 | 第12-16页 |
| ·器件结构 | 第12-13页 |
| ·RESURF 技术 | 第13-16页 |
| ·器件耐压特性分析 | 第16-17页 |
| ·器件二维仿真数值分析 | 第17-35页 |
| ·漂移区掺杂浓度对Triple-RESURF LDMOS 击穿电压的影响 | 第17-19页 |
| ·P 型降场层长度对Triple-RESURF LDMOS 击穿电压的影响 | 第19-22页 |
| ·P 型降场层掺杂浓度对Triple-RESURF LDMOS 击穿电压的影响 | 第22-23页 |
| ·P 型埋层长度对Triple-RESURF LDMOS 击穿电压的影响 | 第23-27页 |
| ·P 型埋层掺杂浓度对Triple-RESURF LDMOS 击穿电压的影响 | 第27-29页 |
| ·场板的优化 | 第29-32页 |
| ·Triple-RESURF LDMOS 正向导通电阻的讨论 | 第32-35页 |
| ·TRIPLE-RESURF LDMOS 的工艺实现 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第三章 单片式智能功率IC 使能电路分析与设计 | 第38-51页 |
| ·整体电路介绍 | 第38-43页 |
| ·开关电源简介 | 第38-41页 |
| ·整体电路介绍 | 第41-43页 |
| ·使能线欠压检测模块分析与设计 | 第43-48页 |
| ·使能线欠压检测模块工作原理 | 第43-45页 |
| ·使能线欠压检测模块仿真分析 | 第45-48页 |
| ·X2 信号产生模块分析与设计 | 第48-50页 |
| ·X2 信号产生模块工作原理 | 第48-49页 |
| ·X2 信号产生模块仿真分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第四章 版图设计 | 第51-62页 |
| ·版图设计规则说明 | 第51-57页 |
| ·N 型埋层（BN） | 第51-52页 |
| ·N 阱（TB） | 第52页 |
| ·有源区（TO） | 第52-53页 |
| ·厚栅氧（HVOX） | 第53-54页 |
| ·多晶1（GT） | 第54-55页 |
| ·P+注入（SP）、N+注入（SN） | 第55-56页 |
| ·Contact（W1） | 第56-57页 |
| ·功率管及相关子模块版图设计 | 第57-61页 |
| ·功率管版图 | 第57-59页 |
| ·使能线欠压检测模块电路版图设计 | 第59-60页 |
| ·X2 信号产生模块版图设计 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
