| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·应变硅的研究背景和意义 | 第12-13页 |
| ·应变硅技术及其分类 | 第13-15页 |
| ·国内外研究发展状况 | 第15-19页 |
| ·论文的内容安排 | 第19-22页 |
| 第二章 应变硅技术研究及短沟道SOI MOSFET基础理论 | 第22-38页 |
| ·应变硅技术 | 第22-26页 |
| ·应变硅材料晶格结构 | 第22-23页 |
| ·应变硅能带结构 | 第23-25页 |
| ·应变硅的迁移率模型 | 第25-26页 |
| ·短沟道全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型 | 第26-33页 |
| ·抛物线近似模型 | 第26-29页 |
| ·准模型 | 第29-33页 |
| ·全耗尽SOI MOSFET的亚阈值斜率 | 第33-36页 |
| ·全耗尽SOI MOSFET的短沟道效应 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 单栅全耗尽应变SGOI和SOI MOSFET的研究 | 第38-64页 |
| ·模拟工具 | 第38-40页 |
| ·SOI技术及应变SOI的提出 | 第40-42页 |
| ·SOI技术的特点与优势 | 第40-41页 |
| ·应变SOI技术的提出 | 第41-42页 |
| ·堆叠栅介质全耗尽应变SGOI MOSFET研究 | 第42-55页 |
| ·堆叠栅介质全耗尽应变SGOI MOSFET的提出 | 第42-43页 |
| ·堆叠栅介质全耗尽应变SGOI MOSFET工艺流程 | 第43-44页 |
| ·应变SGOI MOSFET能带结构及其它参数模型 | 第44-47页 |
| ·泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第47-49页 |
| ·二维表面势模型 | 第49-50页 |
| ·二维阈值电压模型 | 第50-51页 |
| ·亚阈值斜率模型 | 第51-52页 |
| ·结果与分析 | 第52-55页 |
| ·高k栅介质全耗尽应变SOI MOSFET结构 | 第55-61页 |
| ·高k栅介质应变SOI MOSFET的提出 | 第55页 |
| ·应变SOI MOSFET的制作工艺 | 第55-56页 |
| ·表面势模型 | 第56-58页 |
| ·阈值电压模型 | 第58页 |
| ·模型结果与分析 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 第四章 新型双栅全耗尽型应变SOI MOSFET结构 | 第64-86页 |
| ·新型双栅应变SOI MOSFET的提出背景及制作工艺 | 第64-67页 |
| ·传统单栅应变器件存在的主要问题 | 第64页 |
| ·双栅器件的优点 | 第64-65页 |
| ·新型双栅应变SOI MOSFET结构 | 第65页 |
| ·双栅应变SOI MOSFET的工艺流程 | 第65-67页 |
| ·对称堆叠双栅应变SOI MOSFET | 第67-75页 |
| ·泊松方程求解 | 第68-69页 |
| ·电势、二维表面势解析模型 | 第69-70页 |
| ·二维阈值电压解析模型 | 第70页 |
| ·亚阈值电流模型 | 第70-71页 |
| ·亚阈值斜率 | 第71页 |
| ·结果和分析 | 第71-75页 |
| ·非对称双栅应变SOI MOSFET | 第75-83页 |
| ·泊松方程的建立及边界条件的确定 | 第75-77页 |
| ·表面势模型 | 第77-78页 |
| ·阈值电压模型 | 第78-79页 |
| ·模型结果与分析 | 第79-83页 |
| ·本章小结 | 第83-86页 |
| 第五章 异质栅应变SGOI和SOI MOSFET性能分析 | 第86-116页 |
| ·异质栅结构的MOSFET的提出 | 第86-87页 |
| ·异质栅全耗尽应变SGOI MOSFET电特性 | 第87-98页 |
| ·泊松方程和边界条件 | 第87-90页 |
| ·表面势解析模型 | 第90-92页 |
| ·二维阈值电压模型 | 第92-93页 |
| ·结果与分析 | 第93-98页 |
| ·异质栅全耗尽应变SOI MOSFET分析 | 第98-105页 |
| ·泊松方程和边界条件 | 第98-100页 |
| ·二维表面势模型 | 第100-101页 |
| ·二维阈值电压模型 | 第101-102页 |
| ·性能分析和讨论 | 第102-105页 |
| ·非对称异质双栅全耗尽应变SOI MOSFET研究 | 第105-115页 |
| ·非对称异质双栅器件中的泊松方程和边界条件 | 第105-108页 |
| ·表面势解析模型 | 第108-110页 |
| ·阈值电压解析模型 | 第110-111页 |
| ·结果与分析 | 第111-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 第六章 结论与展望 | 第116-120页 |
| ·结论 | 第116-118页 |
| ·展望 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第134-135页 |
| 一、科研论文 | 第134-135页 |
| 二、参加的科研项目 | 第135页 |
