| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·功率器件的发展概述 | 第8-9页 |
| ·LDMOS 器件的研究现状 | 第9-13页 |
| ·LDMOS 器件的展望 | 第13-15页 |
| ·提高击穿电压 | 第13-14页 |
| ·降低导通电阻 | 第14页 |
| ·提高可靠性 | 第14页 |
| ·改善频率特性 | 第14-15页 |
| ·本论文研究意义和内容 | 第15-18页 |
| 第二章 LDMOS 基本理论 | 第18-34页 |
| ·MOSFET 器件的基本特性 | 第18-21页 |
| ·MOSFET 器件的基本结构 | 第18-19页 |
| ·MOSFET 器件的工作原理 | 第19-20页 |
| ·MOSFET 器件的基本特性 | 第20-21页 |
| ·LDMOS 器件的基本特性 | 第21-25页 |
| ·LDMOS 器件的特性 | 第21-22页 |
| ·LDMOS 器件的工作条件 | 第22-23页 |
| ·LDMOS 器件的电热效应 | 第23-25页 |
| ·LDMOS 结构设计 | 第25-30页 |
| ·场板技术 | 第25-26页 |
| ·场限环技术 | 第26-27页 |
| ·RESURF 技术 | 第27-29页 |
| ·喙栅技术 | 第29-30页 |
| ·LDMOS 器件模拟和工艺模拟 | 第30-34页 |
| ·器件模拟介绍 | 第30-32页 |
| ·工艺模拟介绍 | 第32-34页 |
| 第三章 基于LDMOS 的MOSFET 方案探讨 | 第34-48页 |
| ·基于LDMOS 的 MOSFET 的结构设计 | 第34-37页 |
| ·典型LDMOS 的基本结构 | 第34-35页 |
| ·改进型的LDMOS 结构 | 第35-36页 |
| ·基于LDMOS 的MOSFET 基本结构 | 第36-37页 |
| ·基于LDMOS 的MOSFET 的工艺设计 | 第37-48页 |
| ·衬底和漂移区掺杂浓度对击穿电压的影响 | 第38-40页 |
| ·沟道区掺杂浓度对击穿电压的影响 | 第40-41页 |
| ·P 型反型层对击穿电压的影响 | 第41-45页 |
| ·界面电荷对击穿电压的影响 | 第45-47页 |
| ·LDMOS 结构设计的参数优化 | 第47-48页 |
| 第四章 基于LDMOS 的MOSFET 的仿真模拟 | 第48-60页 |
| ·仿真模拟软件的选择 | 第48-51页 |
| ·集成电路TCAD 仿真模拟软件 | 第48-49页 |
| ·器件仿真软件MEDICI | 第49-51页 |
| ·仿真参数的选择 | 第51-53页 |
| ·仿真实验结果 | 第53-58页 |
| ·阈值电压 | 第53-54页 |
| ·阈值电压沟道迁移率 | 第54-55页 |
| ·饱和电流 | 第55页 |
| ·泄漏电流 | 第55-56页 |
| ·击穿电压 | 第56-57页 |
| ·导通电阻 | 第57-58页 |
| ·实验结果分析 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·论文总结 | 第60-61页 |
| ·下一步工作 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |