| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·GaN材料与GaN基器件的应用前景 | 第9-11页 |
| ·GaN基器件的发展和面临的问题 | 第11-15页 |
| ·GaN基器件金半接触研究内容和意义 | 第15-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 2 GaN HEMT器件工作原理及金半接触理论基础 | 第17-35页 |
| ·GaN基器件中的极化效应研究 | 第17-22页 |
| ·自发极化效应 | 第17-19页 |
| ·压电极化效应 | 第19-20页 |
| ·极化效应对能带的影响 | 第20-21页 |
| ·AlGaN/GaN异质结中二维电子气的来源 | 第21-22页 |
| ·GaN HEMT器件工作原理 | 第22-28页 |
| ·HEMT器件的欧姆接触 | 第28-31页 |
| ·形成欧姆接触的基本原理 | 第28页 |
| ·常见欧姆接触形成的方式 | 第28-31页 |
| ·HEMT器件的栅极接触 | 第31-34页 |
| ·栅极接触基本原理 | 第31-32页 |
| ·肖特基接触的漏电机制 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 多层欧姆接触结构 | 第35-67页 |
| ·多层欧姆接触提出的理论依据 | 第35-38页 |
| ·常规欧姆接触面临的问题 | 第35-37页 |
| ·多层欧姆接触的提出和优势 | 第37-38页 |
| ·多层欧姆接触的工艺制备 | 第38-48页 |
| ·双层胶剥离工艺 | 第39-41页 |
| ·电子束蒸发多层欧姆金属 | 第41-45页 |
| ·快速热退火 | 第45-48页 |
| ·欧姆接触的电阻率的提取方式和测试方法 | 第48-57页 |
| ·线性传输线模型(LTLM) | 第49-52页 |
| ·圆点形传输线模型(Marlow's CTLM) | 第52-54页 |
| ·接触电阻率的测试 | 第54-57页 |
| ·多层欧姆实验过程及结果分析 | 第57-66页 |
| ·恒定比例多层欧姆接触实验 | 第57-60页 |
| ·变比例多层欧姆接触实验 | 第60-61页 |
| ·变比例多层欧姆接触结果分析 | 第61-63页 |
| ·表面处理的多层欧姆接触实验 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 4 热氧化处理肖特基栅极接触 | 第67-74页 |
| ·热氧化处理实验的立论基础 | 第67-68页 |
| ·热氧化处理实验 | 第68-69页 |
| ·热氧化处理肖特基栅接触对器件特性的影响 | 第69-73页 |
| ·热氧化处理对器件栅漏电的影响 | 第69-70页 |
| ·热氧化处理对器件的输出、转移特性的影响 | 第70-72页 |
| ·热氧化处理对器件击穿电压影响 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 5 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 本人在攻读硕士学位期间发表论文和专利 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |