| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 符号说明 | 第7-9页 |
| 缩略语 | 第9-12页 |
| 第一章 绪南 | 第12-25页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·SOI 技术及其在功率器件中的应用 | 第12-20页 |
| ·SOI 技术 | 第12-13页 |
| ·RESURF 技术 | 第13-16页 |
| ·SOI 横向高压器件 | 第16-20页 |
| ·南热效应的南南发展 | 第20-22页 |
| ·安全工作区的南南发展 | 第22-23页 |
| ·本南的主要工作 | 第23-25页 |
| 第二章 南热效应的基础理南 | 第25-31页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·南模型所采用的半导体基本方程 | 第25-26页 |
| ·热模型所采用的热流方程 | 第26页 |
| ·南热耦合模型所采用的半导体基本方程和热流方程 | 第26-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 SOI VLT LDMOS 的优化设计与基本特性 | 第31-43页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·SOI VLT LDMOS 器件结构 | 第31-32页 |
| ·SOI VLT LDMOS 器件参数对击穿特性的影响 | 第32-37页 |
| ·源区硅厚度t_s 、漏区硅厚度t_d 和击穿特性的关系 | 第32-33页 |
| ·埋氧层厚度t_(box) 和击穿特性的关系 | 第33-34页 |
| ·漂移区掺杂浓度 N_d 和击穿特性的关系 | 第34-35页 |
| ·漂移区长度 L_d 对击穿特性的影响 | 第35-37页 |
| ·SOI VLT LDMOS 与常规 RESURF 的基本特性比较 | 第37-42页 |
| ·阈值南压 | 第37-38页 |
| ·亚阈值特性 | 第38-39页 |
| ·I-V 输出特性 | 第39-40页 |
| ·击穿特性 | 第40-41页 |
| ·导通南阻 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 安全工作区 | 第43-64页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·安全工作区的提取方法 | 第43-46页 |
| ·静态南安全工作区 | 第46-48页 |
| ·静态热安全工作区 | 第48-55页 |
| ·自热效应对静态热安全工作区的影响 | 第48-52页 |
| ·环境温度对静态热安全工作区的影响 | 第52-55页 |
| ·动态热安全工作区 | 第55-62页 |
| ·动态 I-V 特性与动态热安全工作区 | 第55-57页 |
| ·环境温度对动态热安全工作区的影响 | 第57-59页 |
| ·脉冲宽度对动态热安全工作区的影响 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 作者在攻读南南期间的科南成果 | 第72页 |
