| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 目次 | 第11-13页 |
| 1. 绪论 | 第13-33页 |
| ·研究背景 | 第13-16页 |
| ·研究历史和现状 | 第16-30页 |
| ·3D集成技术中的TSV技术 | 第16-18页 |
| ·TSV的RLC等效电路 | 第18-23页 |
| ·TSV结构中的热问题研究 | 第23-29页 |
| ·GaN场效应管中的热问题 | 第29-30页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第30-31页 |
| ·本论文的结构安排 | 第31-33页 |
| 2. 电热力特性分析的数值方法 | 第33-65页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·部分等效元电路法(PEEC) | 第33-37页 |
| ·有限元方法(FEM)的基本原理 | 第37-51页 |
| ·变分原理和里兹方法 | 第38-40页 |
| ·伽辽金方法 | 第40页 |
| ·有限元法的一般步骤 | 第40-51页 |
| ·电热力多物理场分析原理及验证 | 第51-62页 |
| ·多物理场基本方程 | 第51-53页 |
| ·时域有限元方法应用 | 第53-58页 |
| ·非线性场间耦合 | 第58-61页 |
| ·编程实现及算法验证 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 3. 硅基孔(TSV)的等效电路参数研究 | 第65-85页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·TSV等效电路 | 第66-68页 |
| ·TSV的MOS电容 | 第68-75页 |
| ·TSV与硅基底间的MOS效应及其计算 | 第68-71页 |
| ·poly-Si与隔离层间的MOS效应及其计算 | 第71-73页 |
| ·MOS效应对硅基底电容和电导的影响 | 第73-75页 |
| ·TSV电阻和电感提取 | 第75-79页 |
| ·TSV阵列的等效电容的应用和验证 | 第79-84页 |
| ·TSV阵列的等效电容 | 第79-80页 |
| ·TSV阵列的特征阻抗 | 第80-83页 |
| ·TSV阵列的插入损耗 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 4. TSV的多物理场分析 | 第85-105页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·TSV模型及周期电磁脉冲 | 第86-88页 |
| ·单层TSV的多物理场研究 | 第88-92页 |
| ·多层TSV互连的多物理场分析 | 第92-98页 |
| ·TSV阵列多物理场分析 | 第98-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 5. GaN场效应管的多物理场分析 | 第105-113页 |
| ·引言 | 第105-106页 |
| ·GaN场效应管的稳态多物理场研究 | 第106-108页 |
| ·GaN场效应管的瞬态多物理场研究 | 第108-111页 |
| ·本章小结 | 第111-113页 |
| 6. TSV和GaN场效应管的热阻和平均功率容量研究 | 第113-121页 |
| ·引言 | 第113页 |
| ·热阻和平均功率容量的定义 | 第113-114页 |
| ·TSV的热阻和平均功率容量研究 | 第114-117页 |
| ·GaN场效应管的热阻和平均功率容量研究 | 第117-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 7. 结论与展望 | 第121-123页 |
| ·论文总结 | 第121-122页 |
| ·后继工作的展望 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-131页 |
| 作者简历 | 第131-132页 |