| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·发展动态分析 | 第14-19页 |
| ·国际研究现状 | 第14-18页 |
| ·国内研究现状 | 第18-19页 |
| ·论文的选题与意义 | 第19-20页 |
| ·本文研究内容与结构 | 第20-21页 |
| 本章参考文献 | 第21-27页 |
| 第二章 深纳米MOSFET性能波动性分析 | 第27-49页 |
| ·版图邻近效应 | 第27-34页 |
| ·应力因素 | 第28-32页 |
| ·注入散射因素 | 第32-33页 |
| ·光刻邻近导致的图形偏差 | 第33-34页 |
| ·版图邻近效应的分析技术 | 第34-37页 |
| ·器件统计模型 | 第37-40页 |
| ·工艺波动的影响研究 | 第37-38页 |
| ·统计模型的分析技术 | 第38-40页 |
| ·PSP模型与SPICE仿真程序介绍 | 第40-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 本章参考文献 | 第45-49页 |
| 第三章 40nm MOSFET的PSP直流模型提取 | 第49-57页 |
| ·测试结构设计 | 第49-50页 |
| ·模型提取结果 | 第50-56页 |
| ·C-V提取结果 | 第51-52页 |
| ·I-V提取结果 | 第52-54页 |
| ·温度效应提取结果 | 第54-56页 |
| 本章小结 | 第56页 |
| 本章参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 40nm MOSFET的版图邻近效应模型研究 | 第57-92页 |
| ·版图相关性因子及基本模型参数选择分析 | 第58-62页 |
| ·版图相关性因子分析 | 第58-59页 |
| ·用于版图相关性建模的基本模型参数选择与分析 | 第59-62页 |
| ·版图邻近效应的模型创建 | 第62-67页 |
| ·栅邻近因子建模 | 第63-64页 |
| ·接触孔邻近因子建模 | 第64-65页 |
| ·有源区邻近因子建模 | 第65-66页 |
| ·阱与有源区邻近因子建模 | 第66-67页 |
| ·版图邻近因子合成 | 第67页 |
| ·测试结构设计 | 第67-72页 |
| ·实验数据的测试与分析 | 第72-75页 |
| ·实验数据的测试 | 第72-73页 |
| ·测试数据分析 | 第73-75页 |
| ·模型提取与验证 | 第75-90页 |
| ·栅邻近的拟合结果与分析 | 第76-80页 |
| ·接触孔邻近的拟合结果与分析 | 第80-84页 |
| ·有源区邻近的拟合结果与分析 | 第84-87页 |
| ·阱与有源区邻近的拟合结果与分析 | 第87-89页 |
| ·模型参数值 | 第89-90页 |
| 本章小结 | 第90页 |
| 本章参考文献 | 第90-92页 |
| 第五章 版图邻近因子的自动提取与仿真 | 第92-105页 |
| ·LVS规则的修改 | 第93-100页 |
| ·LVS文件及语法 | 第93-94页 |
| ·普通MOSFET的LVS提取规则 | 第94-95页 |
| ·版图相关性MOSFET的LVS提取规则 | 第95-100页 |
| ·版图参数值的自动提取 | 第100-102页 |
| ·MOSFET性能的SPICE仿真 | 第102-103页 |
| 本章小结 | 第103-104页 |
| 本章参考文献 | 第104-105页 |
| 第六章 40nm MOSFET的统计模型研究 | 第105-118页 |
| ·统计模型建模流程分析 | 第105-106页 |
| ·统计模型的创建 | 第106-108页 |
| ·实验数据的测试与分析 | 第108-110页 |
| ·模型提取与验证 | 第110-116页 |
| 本章小结 | 第116页 |
| 本章参考文献 | 第116-118页 |
| 第七章 总结与展望 | 第118-121页 |
| ·总结 | 第118-119页 |
| ·展望 | 第119-121页 |
| 附录A 缩略词及专业词汇描述 | 第121-124页 |
| 附录B 版图邻近效应测试数据 | 第124-133页 |
| 附录C 统计模型测试数据 | 第133-137页 |
| 附录D LVS规则文件添加代码 | 第137-143页 |
| 攻读学位期间发表论文、专利及参与项目情况 | 第143-146页 |
| 致谢 | 第146页 |