| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物半导材料 | 第10-11页 |
| §1.2 GaN基本性质及其在微波大功率应用中的优势 | 第11-13页 |
| §1.3 AlGaN/GaN异质结二维电子气 | 第13-15页 |
| §1.4 AlGaN/GaN HEMT的发展以及面临的可靠性问题 | 第15-20页 |
| §1.5 本文的结构以及主要研究动机 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管中Kink效应分析 | 第26-36页 |
| §2.1 研究背景 | 第26页 |
| §2.2 器件制备 | 第26-28页 |
| §2.3 实验结果与分析 | 第28-32页 |
| §2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 高场引起的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管中电子去俘获过程分析 | 第36-46页 |
| §3.1 研究背景 | 第36页 |
| §3.2 器件制备 | 第36-37页 |
| §3.3 实验结果与分析 | 第37-42页 |
| §3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第四章 关态下AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管击穿和电流传输机理分析 | 第46-56页 |
| §4.1 研究背景 | 第46-47页 |
| §4.2 器件制备 | 第47页 |
| §4.3 实验结果与分析 | 第47-51页 |
| §4.4 结果讨论 | 第51-53页 |
| §4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第五章 AlGaN/GaN绝缘栅结构高电子迁移率场效应管的探索研究 | 第56-62页 |
| §5.1 研究背景 | 第56-57页 |
| §5.2 器件制备 | 第57-58页 |
| §5.3 实验结果与分析 | 第58-60页 |
| §5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第六章 论文结论与展望 | 第62-64页 |
| §6.1 论文结论 | 第62页 |
| §6.2 论文展望 | 第62-64页 |
| 发表论文目录 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
