| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·CMOS集成电路的发展及存在的问题 | 第12-13页 |
| ·应变技术国内外发展情况 | 第13-21页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第21-22页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第22-24页 |
| ·本章小节 | 第24-26页 |
| 第二章 应变Si/SiGe的物理特性的研究 | 第26-40页 |
| ·应变Si和应变SiGe的形成及特点 | 第26-27页 |
| ·应变Si的物理特性 | 第27-33页 |
| ·应变Si能带结构 | 第27-28页 |
| ·应变Si本征载流子浓度和有效态密度 | 第28-29页 |
| ·应变Si载流子迁移率模型 | 第29-33页 |
| ·应变SiGe物理特性 | 第33-39页 |
| ·应变SiGe能带结构 | 第33-36页 |
| ·应变SiGe本征载流子浓度和有效态密度 | 第36-37页 |
| ·应变SiGe载流子迁移率模型 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 应变Si MOSFET阈值电压与亚阈电流模型研究 | 第40-62页 |
| ·应变Si NMOSFET阈值电压与亚阈电流模型 | 第40-45页 |
| ·器件结构 | 第40-41页 |
| ·二维表面势模型 | 第41-43页 |
| ·阈值电压模型 | 第43-44页 |
| ·亚阈电流模型 | 第44-45页 |
| ·应变Si PMOSFET阈值电压模型 | 第45-47页 |
| ·器件结构 | 第45-46页 |
| ·阈值电压模型 | 第46-47页 |
| ·全耗尽应变SOI NMOSFET阈值电压与亚阈电流模型 | 第47-52页 |
| ·器件结构 | 第48-49页 |
| ·二维表面势模型 | 第49-51页 |
| ·阈值电压模型 | 第51页 |
| ·亚阈电流模型 | 第51-52页 |
| ·器件主要结构参数的优化 | 第52-60页 |
| ·应变Si NMOSFET主要结构参数对阈值电压和亚阈特性的影响 | 第52-55页 |
| ·应变Si PMOSFET主要结构参数对阈值电压的影响 | 第55-58页 |
| ·全耗尽应变SOI NMOSFET主要结构参数对阈值电压和亚阈特性的影响 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 应变SiGe PMOSFET阈值电压模型研究 | 第62-76页 |
| ·应变SiGe PMOSFET阈值电压模型 | 第62-68页 |
| ·器件结构 | 第62-63页 |
| ·各层电势分布 | 第63-67页 |
| ·阈值电压模型 | 第67-68页 |
| ·器件主要结构参数的优化 | 第68-74页 |
| ·应变SiGe PMOSFET主要结构参数对阈值电压的影响 | 第68-71页 |
| ·应变SiGe PMOSFET主要结构参数对电流特性的影响 | 第71-74页 |
| ·本章小节 | 第74-76页 |
| 第五章 硅基应变MOSFET的设计和制备 | 第76-90页 |
| ·硅基应变 MOSFET的设计 | 第76-77页 |
| ·结构参数设计 | 第76-77页 |
| ·器件版图设计 | 第77页 |
| ·硅基应变MOSFET工艺设计 | 第77-82页 |
| ·低温硅工艺 | 第78-79页 |
| ·弛豫SiGe缓冲层技术 | 第79页 |
| ·二氧化硅淀积工艺 | 第79-80页 |
| ·MOSFET工艺流程 | 第80页 |
| ·器件制作工艺设计 | 第80-82页 |
| ·硅基应变MOSFET的制备和测试分析 | 第82-88页 |
| ·应变Si NMOSFET的制备和测试 | 第84-86页 |
| ·应变SiGe量子阱PMOSFET的制备和测试 | 第86-88页 |
| ·本章小节 | 第88-90页 |
| 第六章 Hf0_2应变Si/SiGe MOSFET的关键技术研究 | 第90-104页 |
| ·Hf0_2 应变Si MOS器件的特性研究 | 第90-98页 |
| ·样品制备 | 第90-91页 |
| ·不同温度下的退火对HfO_2 应变Si MOS器件特性的影响 | 第91-96页 |
| ·SILC对HfO_2 应变Si MOS器件I-V特性的影响 | 第96-98页 |
| ·HfO_2 应变SiGe MOS器件的特性研究 | 第98-102页 |
| ·样品制备 | 第98页 |
| ·不同温度下的退火对HfO_2 应变SiGe MOS器件特性的影响 | 第98-101页 |
| ·SILC对HfO_2 应变SiGe MOS器件的I-V特性的影响 | 第101-102页 |
| ·本章小节 | 第102-104页 |
| 第七章 结论 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-126页 |
| 攻博期间的研究成果 | 第126-129页 |
