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碳化硅MOSFET三相逆变器研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-23页
   ·研究背景和意义第17-18页
   ·电力电子器件研究现状第18-20页
   ·碳化硅材料在电力电子领域的优势第20-22页
   ·本文的主要工作安排第22-23页
第二章 MOSFET工作特性分析第23-31页
   ·器件基本结构第23-24页
   ·开关特性第24-27页
     ·理想开关特性分析第24-25页
     ·实际开关特性分析第25-27页
   ·损耗分析第27-29页
     ·完全导通损耗第27-28页
     ·开关损耗第28-29页
   ·本章小结第29-31页
第三章 三相逆变器及其控制方法分析第31-41页
   ·逆变器类型第31页
   ·三相逆变器拓扑结构第31-32页
   ·三相逆变系统主要控制方法第32-40页
     ·SPWM第32-34页
     ·SVPWM第34-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 基于碳化硅MOSFET的三相逆变器设计第41-57页
   ·电路总体设计方案第41-42页
   ·各模块电路设计第42-50页
     ·CPU最小系统第42-45页
     ·PWM隔离第45-46页
     ·栅极驱动能力提升电路第46页
     ·相电流采集电路第46-47页
     ·信号调理电路第47页
     ·电源变换电路第47-48页
     ·逆变器设计第48-49页
     ·稀土永磁电机选择第49-50页
   ·电路板设计第50-53页
   ·软件设计第53-56页
     ·稀土永磁电机控制方法第53-54页
     ·TMS320F2812程序编写第54-56页
   ·本章小结第56-57页
第五章 实验分析第57-63页
   ·实验装置介绍第57-58页
   ·开关特性分析第58-61页
     ·开通特性第59-60页
     ·关断特性第60-61页
   ·逆变器特性分析第61-62页
   ·本章小结第62-63页
第六章 结束语第63-65页
参考文献第65-69页
致谢第69-71页
作者简介第71-72页

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