| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·有机光敏场效应管(PhotOFET)的研究进展 | 第10-14页 |
| ·PhotOFET的特点及应用 | 第14-15页 |
| ·PhotOFET的研究现状和目前面临的主要问题 | 第15-18页 |
| ·PhotOFET的研究现状 | 第15-17页 |
| ·PhotOFET研究中面临的主要问题 | 第17-18页 |
| ·小结 | 第18页 |
| ·后续章节的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 PhotOFET结构、材料及基本理论 | 第24-46页 |
| ·PhotOFET器件结构 | 第24-28页 |
| ·底栅结构 | 第24-26页 |
| ·顶栅结构 | 第26-27页 |
| ·其他结构 | 第27-28页 |
| ·PhotOFET材料 | 第28-37页 |
| ·活性层材料 | 第29-33页 |
| ·绝缘栅介质材料 | 第33-35页 |
| ·电极材料 | 第35-36页 |
| ·衬底材料 | 第36-37页 |
| ·PhotOFET基本工作原理及性能参数 | 第37-39页 |
| ·PhotOFET基本工作原理 | 第37-38页 |
| ·PhotOFET的性能参数 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-46页 |
| 第三章 源/漏电极材料对PhotOFET光敏特性的影响 | 第46-60页 |
| ·研究背景 | 第46-47页 |
| ·器件的制备流程 | 第47-48页 |
| ·电极材料对酞菁钯PhotOFET光敏特性的影响 | 第48-55页 |
| ·酞菁钯和并五苯薄膜的紫外-可见吸收 | 第48页 |
| ·金电极-酞菁钯PhotOFET的光敏特性 | 第48-51页 |
| ·铝电极-酞菁钯PhotOFET的光敏特性 | 第51-55页 |
| ·电极材料对并五苯PhotOFET光敏特性的影响 | 第55-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第四章 C60电极缓冲层对并五苯PhotOFET性能影响的研究 | 第60-90页 |
| ·研究背景 | 第60-61页 |
| ·器件的制备流程 | 第61-62页 |
| ·器件的测试与讨论 | 第62-73页 |
| ·并五苯及C60薄膜的表征 | 第62-64页 |
| ·并五苯PhotOFET及缓冲层修饰器件的电学特性 | 第64-68页 |
| ·并五苯PhotOFET及缓冲层修饰器件的光敏特性 | 第68-73页 |
| ·C60电极缓冲层的厚度优化 | 第73-79页 |
| ·PhotOFET开态/关态光敏特性的进一步研究 | 第79-81页 |
| ·开态特性 | 第79-80页 |
| ·关态特性 | 第80-81页 |
| ·C60修饰器件光响应时间研究 | 第81-82页 |
| ·饱和光生电流研究 | 第82-86页 |
| ·小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第五章 混合平面/体异质结近红外PhotOFET的制备与性能研究 | 第90-107页 |
| ·研究背景 | 第90-91页 |
| ·器件的制备流程 | 第91-92页 |
| ·器件的测试与讨论 | 第92-102页 |
| ·光敏层薄膜的光吸收特性 | 第92页 |
| ·单平面异质结PhotOFET特性与讨论 | 第92-95页 |
| ·双平面异质结PhotOFET特性与讨论 | 第95-98页 |
| ·混合平面/体异质结(HPBHJ)PhotOFET特性与讨论 | 第98-101页 |
| ·HPBHJ-PhotOFET混合光吸收层的厚度优化 | 第101-102页 |
| ·HPBHJ-PhotOFET光响应时间研究 | 第102页 |
| ·小结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-111页 |
| ·全文总结 | 第107-108页 |
| ·研究展望 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-111页 |
| 附录A 缩写词列表 | 第111-114页 |
| 附录B 物理量符号列表 | 第114-116页 |
| 在学期间的研究成果 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
