| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·OFET的概况 | 第10-11页 |
| ·OFET的研究意义 | 第11-12页 |
| ·OFET存在的问题及发展 | 第12-13页 |
| ·OFET的应用 | 第13-16页 |
| ·本论文主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 OFET的结构、材料、原理及其相关理论 | 第17-29页 |
| ·OFET的结构 | 第17-19页 |
| ·OFET的材料 | 第19-25页 |
| ·OFET的基本原理及主要参数 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 绝缘层钝化修饰提高C_(60)有机场效应晶体管性能的研究 | 第29-37页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·基于Pentacene为绝缘层钝化层的C_(60) OFET的制备 | 第30-34页 |
| ·基于Pentacene为绝缘层钝化层的C_(60) OFET制备过程 | 第30-31页 |
| ·基于Pentacene为绝缘层钝化层的C_(60) OFET性能测试及结果分析 | 第31-34页 |
| ·基于LiF为绝缘层钝化层的C_(60) OFET的制备 | 第34-36页 |
| ·基于LiF为绝缘层钝化层的C_(60) OFET制备过程 | 第34-35页 |
| ·基于LiF为绝缘层钝化层的C_(60) OFET性能测试及结果分析 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 双层异质结的双极型有机场效应晶体管的研究 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·基于Pentacene/C_(60)异质结双极型场效应管的制备 | 第38-42页 |
| ·Pentacene/C_(60)异质结AOFET制备过程 | 第38-39页 |
| ·Pentacene/C_(60)异质结AOFET性能测试及结果分析 | 第39-42页 |
| ·基于Pentacene/P13双极型场效应管的制备 | 第42-46页 |
| ·Pentacene/P13 AOFET制备过程 | 第42-43页 |
| ·Pentacene/P13 AOFET性能测试及结果分析 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第47-49页 |
| ·全文总结 | 第47页 |
| ·本论文的特色与创新之处 | 第47-48页 |
| ·展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
