| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-11页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·课题研究背景 | 第8-9页 |
| ·课题研究意义 | 第9页 |
| ·预期成果 | 第9-11页 |
| 第2章 MOSFET 简介 | 第11-18页 |
| ·PN 结的结构和工作原理 | 第11-12页 |
| ·PN 结的结构 | 第11页 |
| ·PN 结工作原理 | 第11-12页 |
| ·MOSFET 介绍 | 第12-18页 |
| ·MOSFET 基础 | 第12-13页 |
| ·MOSFET 的结构和工作原理 | 第13-14页 |
| ·MOSFET 的亚阈值特性 | 第14-16页 |
| ·MOSFET 的短沟道效应 | 第16页 |
| ·MOSFET 的发展方向 | 第16-18页 |
| 第3章 隧穿场效应晶体管的研究 | 第18-24页 |
| ·PN 结隧穿原理 | 第18-19页 |
| ·传统 PIN 隧穿场效应晶体管 | 第19-24页 |
| ·PIN 隧穿场效应晶体管的结构 | 第19-20页 |
| ·PIN 隧穿场效应晶体管的工作原理 | 第20-24页 |
| 第4章 栅绝缘层结构和参数对 PINTFET 性能影响的研究与优化 | 第24-35页 |
| ·结构和参数对传统 PIN 隧穿场效应晶体管的影响 | 第24页 |
| ·栅绝缘层材料对 PINTFET 性能的影响 | 第24-25页 |
| ·栅绝缘层厚度对 PINTFET 性能的影响 | 第25-26页 |
| ·高低介电常数栅绝缘层材料在比例上的优化 | 第26-29页 |
| ·不同厚度栅绝缘层材料比例的优化 | 第29-32页 |
| ·高 K 低 K 比例和栅绝缘层厚度比例的优化 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第5章 源漏区结构和参数对 PINTFET 性能影响的分析与优化 | 第35-49页 |
| ·源漏区掺杂浓度对 PINTFET 的影响 | 第35-42页 |
| ·源区掺杂浓度对 PINTFET 的影响 | 第35-37页 |
| ·漏区掺杂浓度对 PINTFET 的影响 | 第37-39页 |
| ·源漏区掺杂浓度对 PINTFET 的影响 | 第39-42页 |
| ·源区延伸结构对 PINTFET 性能影响的优化 | 第42-47页 |
| ·源区向沟道延伸 | 第42-44页 |
| ·源区向沟道延伸长度的优化 | 第44-45页 |
| ·不同形状的延伸部分的优化 | 第45-47页 |
| ·最终优化的结构和参数 | 第47-49页 |
| 第6章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 在学研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
