| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-22页 |
| ·III-V 族高迁移率沟道材料概述 | 第9-12页 |
| ·III-V 族沟道材料的优势 | 第9-10页 |
| ·III-V 族沟道材料面临的问题与挑战 | 第10-12页 |
| ·高介电常数（高 k）介质材料概述 | 第12-16页 |
| ·高 k 介质材料的优势 | 第12-13页 |
| ·高 k 介质材料面临的问题与挑战 | 第13-15页 |
| ·高 k 介质材料的生长 | 第15-16页 |
| ·GaSb MOS 器件的研究意义 | 第16-18页 |
| ·GaSb MOS 器件的研究现状 | 第18-20页 |
| ·GaSb MOSFET 的界面特性研究现状 | 第18-19页 |
| ·GaSb MOSFET 的器件特性研究现状 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容与意义 | 第20-22页 |
| 第2章 GaSb MOS 器件界面特性的表征 | 第22-35页 |
| ·界面态概述 | 第22-23页 |
| ·界面特性的测试与处理 | 第23-25页 |
| ·界面特性表征：电导法 | 第25-31页 |
| ·界面特性表征：电容法 | 第31-32页 |
| ·电导法与电容法的优劣分析与应用实例 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 GaSb MOS 器件界面特性的优化 | 第35-57页 |
| ·ALD 原位臭氧后处理方法 | 第35-44页 |
| ·实验方案 | 第36页 |
| ·结果讨论 | 第36-43页 |
| ·机理分析 | 第43-44页 |
| ·中性硫化铵溶液处理方法 | 第44-49页 |
| ·实验方案 | 第44-45页 |
| ·结果讨论 | 第45-47页 |
| ·机理分析 | 第47-49页 |
| ·酸性硫化铵溶液处理方法 | 第49-56页 |
| ·实验方案 | 第49-50页 |
| ·结果讨论 | 第50-54页 |
| ·机理分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 GaSb MOSFET 的器件制备与特性分析 | 第57-72页 |
| ·器件制备的工艺流程设计 | 第57-60页 |
| ·器件制备的关键工艺研究 | 第60-64页 |
| ·隔离工艺 | 第61-62页 |
| ·金属电极的淀积/剥离工艺 | 第62页 |
| ·高 k 介质刻蚀工艺 | 第62-63页 |
| ·源漏杂质的注入与激活工艺 | 第63-64页 |
| ·器件特性测试与分析 | 第64-71页 |
| ·器件的电学特性分析 | 第64-66页 |
| ·器件的温度特性分析 | 第66-67页 |
| ·器件的关态漏电机理研究 | 第67-70页 |
| ·与国内外相关工作的对比 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 结论 | 第72-74页 |
| ·论文主要工作与成果 | 第72-73页 |
| ·论文的主要创新点 | 第73页 |
| ·研究展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第81-82页 |