| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·研究背景与意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状和发展趋势 | 第9-12页 |
| ·论文的主要研究内容和架构 | 第12-13页 |
| 第二章 短沟道双栅和围栅MOSFET的基础理论 | 第13-28页 |
| ·MOSFET的基本结构和工作原理 | 第13-17页 |
| ·传统MOSFET | 第13-15页 |
| ·功率MOSFET | 第15-17页 |
| ·短沟道DG MOSFET的基本结构和工作原理 | 第17-23页 |
| ·短沟道DG MOSFET的结构 | 第17-19页 |
| ·短沟道DG MOSFET的原理 | 第19-20页 |
| ·DG MOSFET的制备工艺 | 第20-23页 |
| ·短沟道SG MOSFET的基本结构和工作原理 | 第23-25页 |
| ·短沟道SG MOSFET的结构和原理 | 第23-24页 |
| ·SG MOSFET的制备工艺 | 第24-25页 |
| ·TCAD工具介绍 | 第25-27页 |
| ·工艺仿真Athena组件和器件仿真Atlas组件 | 第25-26页 |
| ·模型选择 | 第26页 |
| ·Atlas数值计算方法 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 短沟道双栅MOSFET的模拟研究 | 第28-41页 |
| ·电势模型 | 第28-32页 |
| ·阈值电压模型 | 第32-35页 |
| ·亚阈值区电流模型 | 第35-37页 |
| ·亚阈值摆幅模型 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 短沟道无结柱状围栅MOSFET的模拟研究 | 第41-50页 |
| ·电势模型 | 第41-44页 |
| ·亚阈值区电流模型 | 第44-47页 |
| ·亚阈值摆幅模型 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的模拟研究 | 第50-63页 |
| ·电势模型 | 第50-54页 |
| ·阈值电压模型 | 第54-57页 |
| ·亚阈值区电流模型 | 第57-60页 |
| ·亚阈值摆幅模型 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| ·总结 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73页 |