| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究背景与意义 | 第10-11页 |
| ·超结和半超结VDMOS的国内外发展现状 | 第11-14页 |
| ·全超结VDMOS技术的发展 | 第11-12页 |
| ·半超结VDMOS概念的提出 | 第12-13页 |
| ·半超结VDMOS技术的发展 | 第13-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 半超结型VDMOS的基本理论 | 第16-24页 |
| ·半超结VDMOS的结构和工作原理 | 第16-18页 |
| ·半超结VDMOS的结构 | 第16-17页 |
| ·半超结VDMOS的工作原理 | 第17-18页 |
| ·半超结VDMOS的主要电学参数 | 第18-22页 |
| ·漏源击穿电压 | 第18-19页 |
| ·导通电阻 | 第19-20页 |
| ·关断时间 | 第20-21页 |
| ·反向导通压降 | 第21-22页 |
| ·反向恢复特性 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 传统半超结型VDMOS的设计与仿真优化 | 第24-58页 |
| ·传统全超结与半超结VDMOS的工艺设计 | 第24-32页 |
| ·传统全超结VDMOS工艺设计 | 第24-31页 |
| ·传统半超结VDMOS工艺设计 | 第31-32页 |
| ·传统半超结VDMOS的元胞结构设计与优化 | 第32-47页 |
| ·击穿电压的仿真优化 | 第33-36页 |
| ·导通电阻的仿真优化 | 第36-40页 |
| ·关断特性的仿真优化 | 第40-43页 |
| ·反向导通压降的仿真优化 | 第43-46页 |
| ·反向恢复特性的仿真优化 | 第46-47页 |
| ·传统半超结VDMOS的终端结构设计 | 第47-56页 |
| ·终端击穿电压的初步仿真 | 第48-53页 |
| ·终端击穿电压的优化 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 新结构半超结VDMOS的设计与仿真优化 | 第58-68页 |
| ·新结构半超结VDMOS的结构与工艺 | 第58-60页 |
| ·传统半超结VDMOS与新结构半超结VDMOS的击穿电压对比 | 第60-63页 |
| ·传统半超结VDMOS与新结构半超结VDMOS的正向导通对比 | 第63-64页 |
| ·传统半超结VDMOS与新结构半超结VDMOS的反向特性对比 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第78页 |
