| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·研究背景与意义 | 第9-13页 |
| ·与本课题相关的研究历史与现状 | 第13-15页 |
| ·本文主要研究内容 | 第15-21页 |
| 第二章 功率MOSFET器件关键原理研究 | 第21-33页 |
| ·功率MOSFET器件 | 第22-24页 |
| ·功率MOSFET器件的直流温度敏感参数 | 第24-27页 |
| ·功率MOSFET器件的动态电特性 | 第27-29页 |
| ·功率MOSFET器件热阻 | 第29-31页 |
| ·安全工作区域 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 单个中心空洞对功率MOSFET器件的影响研究 | 第33-65页 |
| ·实验样品制备 | 第33-39页 |
| ·焊接层空洞形成原因 | 第35-36页 |
| ·焊接层空洞比例控制 | 第36-39页 |
| ·单个中心空洞对直流温度敏感参数的影响研究 | 第39-44页 |
| ·直流温度敏感参数测试方法 | 第40-42页 |
| ·直流温度敏感参数测试结果 | 第42-44页 |
| ·单个中心空洞对动态电特性参数的影响研究 | 第44-48页 |
| ·焊接层空洞对热阻Rthjc影响的模拟 | 第48-51页 |
| ·单个中心空洞对热阻的影响研究 | 第51-58页 |
| ·瞬态热阻Zthjc | 第52-54页 |
| ·热阻Rthjc测试方法 | 第54-56页 |
| ·Rthjc测试结果 | 第56-58页 |
| ·单个中心空洞对安全工作区域的影响研究 | 第58-62页 |
| ·安全工作区域界定方法 | 第59-60页 |
| ·安全工作区域研究结果 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第四章 实验结果分析验证与产品空洞率标准的界定 | 第65-75页 |
| ·直流温度敏感参数分析与验证 | 第65-68页 |
| ·动态电特性参数分析与验证 | 第68-70页 |
| ·热阻Rthjc分析与验证 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 结论与展望 | 第75-79页 |
| ·本论文研究总结 | 第75-76页 |
| ·前景展望 | 第76-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第83页 |