铁电/氮化镓异质结及其场效应晶体管
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 主要符号对照表 | 第10-14页 |
| 英文縮略语一览表 | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-36页 |
| ·氮化镓宽禁带半导体材料 | 第16-18页 |
| ·多功能铁电薄膜 | 第18-22页 |
| ·铁电极化调制场效应 | 第22-26页 |
| ·铁电/氮化镓异质结研究现状 | 第26-28页 |
| ·选题意义和内容安排 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-36页 |
| 第二章 铁电体/氮化镓异质结平带电压 | 第36-59页 |
| ·铁电薄膜极化模型表征 | 第36-40页 |
| ·氮化镓半导体表面性质 | 第40-45页 |
| ·氮化镓表面电荷密度 | 第40-44页 |
| ·氮化镓半导体电容 | 第44-45页 |
| ·MFS结构平带电压模型 | 第45-54页 |
| ·金属/铁电/氮化镓结构 | 第45-47页 |
| ·氮化镓自发极化的影响 | 第47-49页 |
| ·金属氮化镓功函数差的影响 | 第49-52页 |
| ·平带电压模型及实验验证 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 第三章 铁电/氮化镓异质结极化特性 | 第59-78页 |
| ·界面极化耦合效应 | 第59-66页 |
| ·积累状态下的屏蔽作用 | 第59-61页 |
| ·耗尽及深耗尽状态下的退极化效应 | 第61-64页 |
| ·全耗尽条件 | 第64-66页 |
| ·MFS结构电滞回线模型 | 第66-68页 |
| ·电滞回线模型及实验验证 | 第66-68页 |
| ·电滞回线模型的意义 | 第68页 |
| ·MFS结构电滞回线的影响因素 | 第68-71页 |
| ·栅电压 | 第68-69页 |
| ·铁电薄膜矫顽电场 | 第69-70页 |
| ·铁电薄膜饱和极化强度 | 第70-71页 |
| ·铁电/绝缘层结构极化特性 | 第71-74页 |
| ·MFI结构电滞回线模型及实验验证 | 第71-72页 |
| ·绝缘层分压效应 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第四章 铁电/氮化镓异质结电容特性 | 第78-97页 |
| ·MFS结构电容模型 | 第78-81页 |
| ·电容模型及实验验证 | 第78-81页 |
| ·电容模型的意义 | 第81页 |
| ·MFS器件工作机理及能带图 | 第81-85页 |
| ·深耗尽状态 | 第82-83页 |
| ·剩余极化状态 | 第83页 |
| ·平带状态 | 第83-84页 |
| ·积累状态 | 第84-85页 |
| ·材料参数对MFS电容特性的影响 | 第85-88页 |
| ·氮化镓衬底掺杂浓度 | 第85-86页 |
| ·铁电薄膜矫顽电场 | 第86-87页 |
| ·铁电薄膜相对介电常数 | 第87-88页 |
| ·铁电薄膜厚度 | 第88页 |
| ·界面非铁电活性层对电容特性的影响 | 第88-93页 |
| ·界面层模型 | 第88-90页 |
| ·界面层厚度 | 第90-92页 |
| ·界面层相对介电常数 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 第五章 铁电/氮化镓场效应晶体管电学特性 | 第97-115页 |
| ·MFISFET结构 | 第97-102页 |
| ·器件结构 | 第97-99页 |
| ·沟道载流子迁移率 | 第99-102页 |
| ·MFSFET输出特性曲线 | 第102-105页 |
| ·金属/铁电/绝缘层/氮化镓结构性质 | 第105-109页 |
| ·MFIS器件中绝缘层的作用 | 第105-107页 |
| ·电荷注入型MFIS结构电容模型 | 第107-108页 |
| ·绝缘层的选择 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-115页 |
| 第六章 结论与展望 | 第115-117页 |
| ·主要结论 | 第115-116页 |
| ·工作展望 | 第116-117页 |
| 在学期间发表的学术论文及科研成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
