| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SOI技术 | 第9-11页 |
| ·SOI技术的优势 | 第9-10页 |
| ·SOI材料的制备 | 第10-11页 |
| ·辐射环境与抗辐照技术研究 | 第11-13页 |
| ·辐照环境 | 第11-12页 |
| ·辐照效应 | 第12-13页 |
| ·抗辐照技术研究 | 第13页 |
| ·器件模型概述 | 第13-14页 |
| ·SOI MOSFET SPICE模型发展 | 第14-15页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 SOI MOSFET主要器件物理与建模方法 | 第17-25页 |
| ·SOI MOSFET概述 | 第17-24页 |
| ·阈值电压 | 第19-21页 |
| ·电流特性 | 第21页 |
| ·亚阈值斜率 | 第21-22页 |
| ·短沟道效应 | 第22-23页 |
| ·自加热效应 | 第23页 |
| ·背栅效应 | 第23-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第3章 SOI CMOS器件在辐照环境下的抗辐照特性研究 | 第25-34页 |
| ·单粒子事件 | 第25-26页 |
| ·辐照剂量率 | 第26页 |
| ·总剂量 | 第26-28页 |
| ·PD SOI MOSFET器件总剂量辐射效应分析 | 第28-31页 |
| ·阈值电压随总剂量辐射的变化 | 第28-29页 |
| ·亚阈值斜率随辐照剂量的变化 | 第29-31页 |
| ·SOI抗辐照特性研究 | 第31-33页 |
| ·不同偏置条件下的抗辐照特性 | 第31-32页 |
| ·退火条件下的抗辐照特性 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第4章 抗辐照SOI CMOS模型建模 | 第34-51页 |
| ·主要建模方法 | 第34-42页 |
| ·模型提取软件简介 | 第34-35页 |
| ·常见的数据测量方案 | 第35-36页 |
| ·BiCMOS工艺建模 | 第36-42页 |
| ·BSIMSOI模型研究 | 第42-46页 |
| ·BSIMSOI模型 | 第42-44页 |
| ·PD-SOI MOS I-V模型 | 第44-45页 |
| ·与总剂量辐射相关的模型参数 | 第45-46页 |
| ·总剂量辐射的集成电路模型 | 第46页 |
| ·抗辐照SOI CMOS工艺建模 | 第46-49页 |
| ·开发Verilog-A源代码 | 第46-48页 |
| ·SOI CMOS器件抗总剂量辐照建模 | 第48-49页 |
| ·SOI CMOS建模流程简述 | 第49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第5章 模型方程在EDA工具中验证 | 第51-56页 |
| ·模型在EDA软件中的实现 | 第51-53页 |
| ·模型提取与验证 | 第53-54页 |
| ·模型的应用 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第6章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 附录 | 第61页 |
