| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-18页 |
| ·研究背景 | 第11-14页 |
| ·研究现状 | 第14-16页 |
| ·HEMT器件的应用 | 第16页 |
| ·本论文相关工作 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 2 Al Ga N/Ga N HEMT器件 | 第18-32页 |
| ·Al Ga N/Ga N HEMT器件基本结构 | 第18-26页 |
| ·Al Ga N/Ga N异质结构 | 第18-20页 |
| ·欧姆接触 | 第20-25页 |
| ·肖特基接触 | 第25-26页 |
| ·Al Ga N/Ga N HEMT器件的电学特性 | 第26-30页 |
| ·Al Ga N/Ga N HEMT分类 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 3 Al Ga N/Ga N MIS-HEMT器件 | 第32-46页 |
| ·器件结构设计 | 第32-34页 |
| ·电流崩塌效应 | 第34-36页 |
| ·电流崩塌效应的成因 | 第34-35页 |
| ·抑制电流崩塌效应的方法 | 第35-36页 |
| ·基本工艺过程 | 第36-42页 |
| ·裂片和清洗 | 第36-37页 |
| ·光学曝光 | 第37-38页 |
| ·有源区隔离 | 第38-39页 |
| ·欧姆接触的制备 | 第39-40页 |
| ·栅介质的制备 | 第40-41页 |
| ·栅电极的制备 | 第41页 |
| ·器件表面钝化和开窗口 | 第41-42页 |
| ·主要设备简介 | 第42-43页 |
| ·工艺流程 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 器件的性能测试 | 第46-54页 |
| ·测试系统介绍 | 第46页 |
| ·器件的输出特性 | 第46-47页 |
| ·器件的转移特性 | 第47页 |
| ·器件的栅漏电特性 | 第47-48页 |
| ·Al2O3栅介质MIS-HEMT器件性能的优化 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 5 Al Ga N/Ga N MIS-HEMT大功率器件 | 第54-58页 |
| ·器件结构设计 | 第54-55页 |
| ·器件性能测试 | 第55-57页 |
| ·器件的转移特性 | 第55页 |
| ·器件的输出特性 | 第55-56页 |
| ·器件的栅漏电特性 | 第56-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 6 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·论文总结 | 第58-59页 |
| ·未来展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 附录A | 第67-68页 |
| 致谢 | 第6页 |
