基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-16页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·SOI器件发展现状 | 第11-13页 |
| ·研究的目的和意义 | 第13-14页 |
| ·论文的结构和内容 | 第14-16页 |
| 第2章 SOI MOSFET器件及模型概述 | 第16-27页 |
| ·SOI MOSFET器件结构和工作机理 | 第16-18页 |
| ·PD SOI MOSFET器件 | 第16-17页 |
| ·FD SOI MOSFET器件 | 第17页 |
| ·体接触器件 | 第17-18页 |
| ·SOI MOSFET器件特性 | 第18-23页 |
| ·SOI MOSFET结二极管 | 第18页 |
| ·碰撞电离 | 第18-19页 |
| ·浮体效应 | 第19-20页 |
| ·记忆效应与阈值电压漂移 | 第20-21页 |
| ·漏致势垒降低 | 第21-22页 |
| ·短沟道效应 | 第22页 |
| ·自热效应 | 第22页 |
| ·背栅效应 | 第22-23页 |
| ·抗辐照特性 | 第23页 |
| ·SOI MOSFET模型概述 | 第23-27页 |
| ·BSIMSOI模型 | 第24-25页 |
| ·Leti SOI模型 | 第25页 |
| ·UFSOI模型 | 第25页 |
| ·STAG模型 | 第25-26页 |
| ·PSPSOI模型 | 第26-27页 |
| 第3章 基于PSP103的扩展模型 | 第27-36页 |
| ·本征模型 | 第28-31页 |
| ·求解表面势 | 第28-29页 |
| ·横向场梯度因子 | 第29页 |
| ·漏电流 | 第29-30页 |
| ·速度饱和 | 第30页 |
| ·本征电荷 | 第30-31页 |
| ·非本征模型 | 第31页 |
| ·栅电流 | 第31页 |
| ·非本征电荷 | 第31页 |
| ·噪声模型 | 第31-32页 |
| ·非准静态(NQS)模型 | 第32页 |
| ·体区和衬底模型 | 第32-35页 |
| ·二极管模型 | 第32页 |
| ·碰撞电离电流 | 第32页 |
| ·栅-体隧穿电流 | 第32-33页 |
| ·寄生的三极管电流 | 第33页 |
| ·体接触模型 | 第33-34页 |
| ·背栅效应 | 第34-35页 |
| ·自热效应 | 第35-36页 |
| 第4章 Global直流参数提取 | 第36-43页 |
| ·测试环境与测试方案 | 第37-39页 |
| ·器件测试环境 | 第37页 |
| ·器件尺寸选取 | 第37-38页 |
| ·器件测试方案 | 第38-39页 |
| ·Local直流参数提取 | 第39-40页 |
| ·工艺参数提取 | 第39-40页 |
| ·直流参数提取 | 第40页 |
| ·Global直流参数提取 | 第40-43页 |
| ·Global参数缩放规则 | 第40-41页 |
| ·Global参数提取流程 | 第41-43页 |
| 第5章 Global射频参数提取 | 第43-55页 |
| ·射频寄生与等效模型 | 第44-46页 |
| ·寄生电容 | 第44页 |
| ·寄生电阻和电感 | 第44页 |
| ·衬底寄生 | 第44-45页 |
| ·射频等效模型 | 第45-46页 |
| ·测试环境和测试方案 | 第46-48页 |
| ·器件测试环境 | 第46页 |
| ·器件测试方案 | 第46-48页 |
| ·去嵌(de-embedding) | 第48-49页 |
| ·RF寄生参数提取 | 第49-55页 |
| ·Varactor模型参数提取 | 第49-51页 |
| ·SOI衬底寄生缩放分析 | 第51-52页 |
| ·MOS Varactor模型验证 | 第52-53页 |
| ·MOSFET模型参数提取 | 第53-55页 |
| 第6章 PSP扩展模型验证 | 第55-60页 |
| ·Global直流模型验证 | 第55-57页 |
| ·Global射频模型验证 | 第57-60页 |
| 第7章 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·总结 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 附录 | 第69页 |
