| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·对于 POWER MOS 失效分析及改善方法研究的背景与意义 | 第7页 |
| ·POWER MOS 良率异常等问题分析与改善的现状 | 第7-8页 |
| ·本论文主要研究的内容 | 第8-9页 |
| 第二章 POWER MOS 电性参数与工艺流程简介 | 第9-19页 |
| ·POWER DEVICE 概述 | 第9-11页 |
| ·POWER MOS 的电性参数 | 第11-13页 |
| ·POWER MOS PROCESS FLOW 简介 | 第13-19页 |
| ·零层制作 | 第13页 |
| ·有源区制作 | 第13-14页 |
| ·GR 制作（可选） | 第14页 |
| ·DT 制作 | 第14-15页 |
| ·Poly 制作 | 第15页 |
| ·井区及 Source 制作 | 第15-16页 |
| ·CT 的制作 | 第16-17页 |
| ·METAL 的制作 | 第17-19页 |
| 第三章 VGS 的失效分析与解决方案 | 第19-26页 |
| ·Poly 蚀刻造成的 Wafer edge VGS 偏低的问题 | 第19-22页 |
| ·Trench 到 CT 距离造成的 Wafer edge VGS 偏高的问题 | 第22-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第四章 BVDSS 的失效分析与解决方案 | 第26-39页 |
| ·WAFER EDGE BVDSS 异常失效的分析 | 第26-30页 |
| ·Poly 蚀刻造成的 Wafer edge BVDSS 失效的问题 | 第26-29页 |
| ·Metal Al extrusion 造成的 Wafer edge BVDSS 失效的问题 | 第29-30页 |
| ·按光罩重复的 BVDSS 异常失效的分析 | 第30-34页 |
| ·由于存在寄生 MOS 导致的整体 BVDSS 异常失效的分析 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第五章 RDSON 的失效分析与解决方案 | 第39-50页 |
| ·W/E RDSON 失效的分析与改善 | 第40-45页 |
| ·整体 RDSON 失效的分析和改善方法 | 第45-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第六章 IGSS 的失效分析与解决方案 | 第50-57页 |
| ·多晶硅残留导致的 IGSS 失效分析与解决方案 | 第50-52页 |
| ·由于金属残留导致的 IGSS 失效及解决方案 | 第52-56页 |
| ·W 残留造成的 IGSS 失效的问题 | 第52-55页 |
| ·AlCu metal 残留造成的 IGSS 失效的问题 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第七章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
