| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| ·场效应晶体管的研究背景及意义 | 第11-15页 |
| ·FET 的研究背景 | 第11-13页 |
| ·场效应晶体管的研究意义 | 第13-15页 |
| ·场效应晶体管面临的问题 | 第15-16页 |
| ·无机场效应晶体管面临的问题 | 第15页 |
| ·有机场效应晶体管面临的问题 | 第15-16页 |
| ·场效应晶体管的发展现状 | 第16-23页 |
| ·无机场效应晶体管 | 第17页 |
| ·有机场效应晶体管 | 第17-21页 |
| ·透明有机场效应晶体管 | 第21-23页 |
| ·透明导电薄膜 | 第23-28页 |
| ·透明导电薄膜概述 | 第23-24页 |
| ·多层复合透明导电薄膜概述 | 第24-27页 |
| ·目前透明导电薄膜应用于透明有机场效应晶体管中存在的主要问题 | 第27-28页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第28-31页 |
| 第2章 场效应晶体管的物理基础 | 第31-45页 |
| ·场效应晶体管的基本结构及工作原理 | 第31-35页 |
| ·场效应晶体管的基本结构 | 第31-32页 |
| ·场效应管的工作原理 | 第32-35页 |
| ·场效应晶体管的基本参数 | 第35-37页 |
| ·场效应迁移率 | 第35-36页 |
| ·阈值电压 | 第36-37页 |
| ·电流开关比 | 第37页 |
| ·OFET 的界面接触效应 | 第37-39页 |
| ·绝缘层/有机半导体界面 | 第37页 |
| ·电极/半导体界面 | 第37-39页 |
| ·实验方法 | 第39-44页 |
| ·实验设备 | 第39-42页 |
| ·测试系统 | 第42-44页 |
| ·本章总结 | 第44-45页 |
| 第3章 无机MoO_3纳米片场效应管的试制 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·MoO_3纳米片的制备 | 第46-47页 |
| ·结构性能表征 | 第47-53页 |
| ·结构和形态 | 第47-50页 |
| ·MoO_3纳米片的生长过程研究 | 第50-51页 |
| ·电学特性研究 | 第51-53页 |
| ·MoO_3纳米片场效应晶体管的试制 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 透明有机场效应晶体管的研究与制备 | 第55-62页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·基于 F16CuPc 的透明有机场效应晶体管的制备 | 第55-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-61页 |
| ·WAW 透明导电薄膜的光学优化 | 第57-59页 |
| ·转移曲线 | 第59-60页 |
| ·器件的电学性能 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·总结 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第68-69页 |
| 指导教师及作者简介 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |