| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景与意义 | 第8-9页 |
| ·MOS器件的研究现状 | 第9-13页 |
| ·MOS器件的发展 | 第9-10页 |
| ·新型MOS器件结构 | 第10-13页 |
| ·主要研究内容和论文架构 | 第13-14页 |
| 第二章 多栅MOSFET的结构和工作原理 | 第14-24页 |
| ·双栅MOSFET的结构与原理 | 第14-16页 |
| ·双栅MOSFET的工艺 | 第14-15页 |
| ·双栅MOSFET的长沟道模型 | 第15-16页 |
| ·围栅MOSFET的结构与原理 | 第16-19页 |
| ·围栅MOSFET的工艺 | 第17页 |
| ·围栅MOSFET的长沟道模型 | 第17-19页 |
| ·肖特基势垒源漏MOSFET的结构与原理 | 第19-22页 |
| ·肖特基接触及势垒 | 第19-20页 |
| ·肖特基势垒降低 | 第20-21页 |
| ·肖特基势垒源漏MOSFET | 第21-22页 |
| ·模拟工具 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 短沟道双栅MOSFET的解析模型及模拟研究 | 第24-34页 |
| ·短沟道双栅MOSFET的解析模型 | 第24-29页 |
| ·电势模型 | 第24-28页 |
| ·阈值电压模型 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 短沟道围栅MOSFET的解析模型及模拟研究 | 第34-44页 |
| ·短沟道围栅MOSFET的解析模型 | 第34-38页 |
| ·电势模型 | 第34-37页 |
| ·阈值电压模型 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-44页 |
| 第五章 短沟道双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型及模拟研究 | 第44-52页 |
| ·短沟道DG DSS MOSFET的解析模型 | 第44-47页 |
| ·电势模型 | 第44-47页 |
| ·阈值电压模型 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-54页 |
| ·总结 | 第52-53页 |
| ·展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61页 |
