| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·SOI较体硅技术的优越性 | 第10-11页 |
| ·SOI器件的制备技术 | 第11页 |
| ·SOI器件的特性及存在的问题 | 第11-15页 |
| ·薄膜与厚膜SOI器件 | 第11-13页 |
| ·浮体效应 | 第13页 |
| ·翘曲效应 | 第13-14页 |
| ·寄生晶体管效应 | 第14页 |
| ·自加热效应 | 第14-15页 |
| ·本课题研究背景以及本文的研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 SOI器件的总剂量效应及物理机理分析 | 第16-25页 |
| ·总剂量辐射效应的基本理论 | 第16-19页 |
| ·基于SOI技术MOS器件的总剂量辐射效应 | 第19-24页 |
| ·SOI绝缘埋层的总剂量辐照效应 | 第19-20页 |
| ·总剂量辐射效应对SOI结构的影响 | 第20-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 PD SOI MOSFET器件的总剂量效应数值模型的研究 | 第25-38页 |
| ·MOSFET总剂量效应的物理过程及分析 | 第25-28页 |
| ·辐照前的界面态 | 第25页 |
| ·辐照引入的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 | 第25页 |
| ·辐照引入的界面陷阱的性质及其对阈值电压的影响 | 第25-28页 |
| ·半导体器件的行为物理模型 | 第28-29页 |
| ·新的总剂量效应数值模型的提出 | 第29-35页 |
| ·能量在氧化层的积累 | 第29-30页 |
| ·氧化物电荷产生后的分布与内建电场的求解 | 第30-32页 |
| ·阈值电压漂移量与总剂量的关系推导 | 第32-35页 |
| ·总剂量效应模型中的重要参数Nt | 第35页 |
| ·典型0.8μm SOI CMOS工艺下总剂量效应数值模型的验证 | 第35-36页 |
| ·实验公式准备 | 第35-36页 |
| ·实验参数提取、分析 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 PD SOI MOSFET器件抗总剂量辐射的结构设计 | 第38-42页 |
| ·抗总剂量辐射原理及目前加固方法 | 第38-39页 |
| ·抗总剂量辐射器件结构的设计 | 第39-41页 |
| ·BUSFET结构 | 第39-40页 |
| ·H栅结构 | 第40页 |
| ·环栅结构 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 PD SOI MOSFET器件的总剂量辐射模拟仿真 | 第42-50页 |
| ·TCAD Sentaurus软件简介 | 第42-44页 |
| ·Sentaurus Process工艺级仿真工具 | 第42-43页 |
| ·Sentaurus Device器件物理特性级仿真工具 | 第43-44页 |
| ·Sentaurus Workbench虚拟制造系统 | 第44页 |
| ·模拟仿真及结果对比 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第6章 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
