| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·VDMOS的结构以及特性 | 第10-13页 |
| ·VDMOS器件及模型研究进展 | 第13-16页 |
| ·本论文的工作 | 第16-19页 |
| ·论文结构 | 第19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 MOSFET器件模型 | 第20-28页 |
| ·SPICE模型 | 第20-24页 |
| ·SPICE模型概述 | 第20-22页 |
| ·SPICE器件模型的发展 | 第22-24页 |
| ·高压VDMOS器件模型 | 第24-27页 |
| ·模型说明 | 第24页 |
| ·等效电路 | 第24-25页 |
| ·模型方程 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 高压VDMOS器件建模 | 第28-52页 |
| ·士兰微高压VDMOS器件参数测试 | 第29-35页 |
| ·svd7n60f关键特性参数 | 第33-34页 |
| ·典型器件特性曲线分析 | 第34-35页 |
| ·改进的VDMOS模型 | 第35-36页 |
| ·基于FREESCALE MET模型的参数提取和验证 | 第36-39页 |
| ·使用VERILOG-A语言嵌入仿真软件 | 第39-51页 |
| ·器件的Verilog-A代码模型在Cadence环境下调用方法 | 第40-51页 |
| ·在Cadence环境下典型器件的veriloga代码实现 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 模型仿真验证 | 第52-58页 |
| ·典型器件的仿真 | 第52-56页 |
| ·转移特性仿真 | 第52页 |
| ·输出特性仿真 | 第52-53页 |
| ·栅漏电容随栅漏电压的仿真结果 | 第53-54页 |
| ·漏源电容随漏源电压的仿真结果 | 第54页 |
| ·栅漏电容随栅源电压的仿真结果 | 第54-55页 |
| ·栅漏电容随漏源电压的仿真结果 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录一 | 第64-65页 |
| 附录二 | 第65-71页 |
