高压LDMOS设计中关键技术的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·功率器件的发展史 | 第9-10页 |
| ·LDMOS概况和研究现状 | 第10-12页 |
| ·本课题研究目的与意义 | 第12-13页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第13-14页 |
| ·论文各章节安排与介绍 | 第14-15页 |
| 2 LDMOS器件结构与特性 | 第15-26页 |
| ·LDMOS器件基本结构及特性 | 第15-18页 |
| ·LDMOS器件结构 | 第15-17页 |
| ·LDMOS器件结构特性 | 第17-18页 |
| ·LDMOS器件特性参数与特性曲线 | 第18-22页 |
| ·LDMOS特性参数 | 第18-19页 |
| ·LDMOS器件特性曲线 | 第19-22页 |
| ·LDMOS器件结构设计 | 第22-25页 |
| ·器件仿真软件 | 第22-23页 |
| ·LDMOS结构建立 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 LDMOS中RESURF技术的研究 | 第26-38页 |
| ·RESURF技术 | 第26-27页 |
| ·RESURF技术中LDMOS漂移区分析 | 第27-34页 |
| ·LDMOS器件中漂移区长度分析与研究 | 第27-29页 |
| ·LDMOS器件漂移区杂质浓度的分析与研究 | 第29-34页 |
| ·外延层单位面积杂质密度的仿真与分析 | 第34-36页 |
| ·基于RESURF技术的衬底仿真研究 | 第34-35页 |
| ·外延层单位面积杂质密度的近似解析表达式 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 4 LDMOS击穿电压和导通电阻的研究 | 第38-44页 |
| ·基于场板技术提高LDMOS击穿电压的研究 | 第39-43页 |
| ·场板技术 | 第39-40页 |
| ·LDMOS的场板技术分析 | 第40-43页 |
| ·导通电阻计算 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 LDMOS温度特性研究 | 第44-48页 |
| ·阈值电压温度特性 | 第44-45页 |
| ·击穿电压温度特性 | 第45页 |
| ·导通电阻温度特性 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 6 总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 附录 | 第53-62页 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
