高功率GaN HEMT器件建模研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-7页
目录	第7-9页
第一章 绪论	第9-13页
·研究背景	第9-10页
·研究意义	第10页
·国内外研究现状及问题	第10-11页
·论文的主要内容和各章安排	第11-13页
第二章 大信号器件建模导论	第13-27页
·大信号器件建模流程概述	第13-15页
·电气测量技术	第15-20页
·电参考面和校准	第15-18页
·脉冲测试系统	第18-20页
·去嵌入方法概述	第20-23页
·常见的大信号模型分析	第23-26页
·大信号模型分类	第23-25页
·常见经验模型	第25-26页
·本章小结	第26-27页
第三章 陷阱效应研究	第27-47页
·GaN HEMT器件工作原理	第27-28页
·陷阱效应的物理机制	第28-32页
·常见陷阱效应导致的电气特性	第32-35页
·陷阱效应的脉冲测试表征	第35-39页
·陷阱效应模型回顾	第39-46页
·本章小结	第46-47页
第四章 GaN HEMT器件的小信号与大信号建模	第47-77页
·GaN HEMT小信号器件建模	第47-57页
·GaN HEMT小信号等效电路参数提取	第48-53页
·Dynax GaN HEMT小信号模型建模	第53-57页
·GaN HEMT器件大信号器件建模	第57-75页
·非线性模型的函数逼近	第57-58页
·GaN大信号I-V方程的建立	第58-64页
·GaN大信号C-V方程的建立	第64-68页
·陷阱效应建模	第68-75页
·模型生成	第75-76页
·VerilogA语言介绍	第75-76页
·本章小结	第76-77页
第五章 总结与展望	第77-79页
·总结	第77-78页
·展望	第78-79页
参考文献	第79-85页
致谢	第85-87页
在读期间发表的学术论文	第87页