| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·OFET 的研究意义及现状 | 第11-12页 |
| ·OFET 的分类、材料、相关理论及主要参数 | 第12-22页 |
| ·OFET 的分类 | 第12-14页 |
| ·OFET 的材料 | 第14-19页 |
| ·OFET 的相关理论及主要参数 | 第19-22页 |
| ·OFET 的应用及发展趋势 | 第22-23页 |
| ·OFET 存在的问题 | 第23-24页 |
| ·本文主要研究工作 | 第24-25页 |
| 第二章 基于插入 WO_3缓冲层并五苯 OFET 性能的研究 | 第25-33页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·基于插入 WO_3缓冲层并五苯 OFET 性能的研究 | 第26-29页 |
| ·基于插入 WO_3缓冲层并五苯 OFET 的制备过程 | 第26-27页 |
| ·基于插入 WO_3缓冲层并五苯 OFET 性能测试 | 第27-29页 |
| ·基于插入 WO_3缓冲层并五苯 OFET 结果分析 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于插入 MoO_3缓冲层并五苯 OFET 的研究 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·基于插入 MoO_3缓冲层并五苯 OFET 性能的研究 | 第34-38页 |
| ·基于插入 MoO_3缓冲层并五苯 OFET 的制备过程 | 第34-35页 |
| ·基于插入 MoO_3缓冲层并五苯 OFET 性能测试 | 第35-38页 |
| ·基于插入 MoO_3缓冲层并五苯 OFET 结果分析 | 第38-40页 |
| ·比较 MoO_3和 WO_3做为缓冲层的 OFET 结果分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于 PCBM 和 C_(60)的 OFET 接触电阻的分析 | 第42-49页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·基于 PCBM 和 C_(60)的 OFET 性能的研究 | 第43-46页 |
| ·基于 PCBM 和 C_(60)的 OFET 的制备 | 第43-44页 |
| ·基于 PCBM 和 C_(60)的 OFET 的性能测试 | 第44-46页 |
| ·基于 PCBM 和 C_(60)的 OFET 结果分析 | 第46-48页 |
| ·界面电荷载流子的分析 | 第46-47页 |
| ·接触电阻随着电荷流动变化的分析 | 第47-48页 |
| ·金属电极与有机半导体层能级匹配的分析 | 第48页 |
| ·本章总结 | 第48-49页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第49-51页 |
| ·全文总结 | 第49-50页 |
| ·本论文的特色与创新之处 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
