| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·研究背景与研究意义 | 第9-10页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 器件简介 | 第10-11页 |
| ·增强型 GaN HEMT 器件的实现 | 第11-12页 |
| ·GaN HEMT 的发展历程 | 第12-14页 |
| ·高耐压 AlGaN/GaN HEMT 存在的主要问题和采用的技术 | 第14-17页 |
| ·AlGaN/GaN 所采用的场板结构 | 第17-20页 |
| ·论文的主要内容和结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 ：仿真软件与仿真的基本规律 | 第21-31页 |
| ·仿真软件概述 | 第21-23页 |
| ·数值仿真软件的发展 | 第21-22页 |
| ·工艺仿真工具 Sentaurus Process 简介 | 第22页 |
| ·器件仿真工具 Sentaurus Device 简介 | 第22-23页 |
| ·Sentaurus WorkBench 设计平台 | 第23页 |
| ·半导体数值仿真解算的基本方程 | 第23-24页 |
| ·仿真中对 GaN 的描述 | 第24-28页 |
| ·仿真的一些基本规律及优化原则 | 第28-29页 |
| ·场板的优化准则 | 第28页 |
| ·仿真的一些基本规律 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 栅极场板结构对器件性能的影响 | 第31-41页 |
| ·仿真的 AlGaN/GaN HEMT 的基本结构及建立过程 | 第31-34页 |
| ·仿真的 AlGaN/GaN HEMT 的基本结构 | 第31-32页 |
| ·仿真的 AlGaN/GaN HEMT 结构的建立过程 | 第32-34页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第34-41页 |
| ·不同栅极场板结构对击穿电压的影响 | 第34-37页 |
| ·不同栅极场板结构对器件开态的影响 | 第37-38页 |
| ·场板提高提高器件耐压的机理分析 | 第38-41页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 栅源双场板结构对器件性能的影响 | 第41-53页 |
| ·仿真的 AlGaN/GaN HEMT 的基本结构 | 第41-42页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第42-47页 |
| ·场板提高提高器件耐压的机理分析 | 第47-49页 |
| ·栅源符合场板对 AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌效应的影响 | 第49-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第61页 |
