| CONTENTS | 第1-9页 |
| 摘要 | 第9-13页 |
| ABSTRACT | 第13-19页 |
| 符号表 | 第19-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-42页 |
| §1-1 GaN基异质结材料与器件研究背景及意义 | 第20-23页 |
| §1-2 AlGaN/AlN/GaN异质结构材料及器件发展史 | 第23-30页 |
| 1-2-1 AlGaN/AlN/GaN异质结微电子器件研究进展 | 第24-28页 |
| 1-2-2 AlGaN/AlN/GaN异质结电力电子器件研究进展 | 第28-29页 |
| 1-2-3 国内AlGaN/GaN HFETs器件发展历史及研究进展 | 第29-30页 |
| §1-3 InAlN/AlN/GaN异质结材料及器件研究进展 | 第30-32页 |
| §1-4 本论文的研究内容及安排 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-42页 |
| 第二章 器件制备与测试 | 第42-56页 |
| §2-1 GaN基异质结材料生长工艺 | 第42-45页 |
| 2-1-1 衬底材料的选择 | 第42-43页 |
| 2-1-2 缓冲层技术 | 第43页 |
| 2-1-3 生长技术 | 第43-44页 |
| 2-1-4 本文中GaN基异质结材料外延生长方法及材料结构 | 第44-45页 |
| §2-2 GaN基异质结场效应晶体管制备工艺 | 第45-49页 |
| 2-2-1 表面清洗工艺 | 第45-46页 |
| 2-2-2 图形曝光 | 第46-47页 |
| 2-2-3 台面刻蚀工艺 | 第47页 |
| 2-2-4 欧姆接触和肖特基接触工艺 | 第47-49页 |
| §2-3 GaN基异质结构材料与器件的测试 | 第49-54页 |
| 2-3-1 霍尔测试 | 第49-50页 |
| 2-3-2 电容-电压(C-V)特性测试 | 第50-51页 |
| 2-3-3 电流-电压(I-V)特性测试 | 第51-52页 |
| 2-3-4 光电流谱测试 | 第52页 |
| 2-3-5 电子能谱测试(SEM-EDS) | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射理论模型及其应用研究 | 第56-86页 |
| §3-1 边欧姆接触工艺对AlGaN/AlN/GaN HFETs中极化库仑场散射的影响 | 第57-67页 |
| §3-2 AIGaN/AlN/GaN HFETs中极化库仑场散射理论模型研究 | 第67-77页 |
| §3-3 AlGaN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射对器件亚阈值特性的影响 | 第77-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第四章 InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射机制研究 | 第86-110页 |
| §4-1 方形和圆形In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN HFETs中低电场下2DEG电子迁移率研究 | 第87-92页 |
| §4-2 边欧姆接触工艺对In_(0.17)Al_(0.83)N/AlN/GaN HFETs中极化库仑场散射的影响 | 第92-101页 |
| §4-3 从正向I-V曲线获取In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度的方法 | 第101-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第五章 AlGaN/AlN/GaN、In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN和AlGaAs/GaAs异质结场效应晶体管低电场下2DEG电子迁移率比较研究 | 第110-118页 |
| 第六章 结论 | 第118-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第124-128页 |
| Paper 1 | 第128-138页 |
| Paper 2 | 第138-149页 |
| 附表 | 第149页 |
