| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-30页 |
| ·微电子技术的发展与挑战 | 第8-12页 |
| ·隧穿场效应晶体管 | 第12-14页 |
| ·InGaAs场效应晶体管 | 第14-16页 |
| ·场效应晶体管的关键可靠性问题 | 第16-22页 |
| ·论文的主要工作及内容安排 | 第22-23页 |
| ·参考文献 | 第23-30页 |
| 第二章 场效应晶体管的可靠性电学测试方法和特性模拟 | 第30-57页 |
| ·电流电压方法 | 第30-39页 |
| ·电荷泵浦方法 | 第39-45页 |
| ·其他方法：电容电压和电噪声方法 | 第45-53页 |
| ·可靠性特性模拟 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54页 |
| ·参考文献 | 第54-57页 |
| 第三章 隧穿场效应晶体管的电学特性和可靠性 | 第57-82页 |
| ·隧穿场效应晶体管及其电学特性 | 第57-60页 |
| ·隧穿场效应晶体管的偏压温度不稳定性 | 第60-63页 |
| ·隧穿场效应晶体管的热载流子注入 | 第63-68页 |
| ·隧穿场效应晶体管的退化机理讨论 | 第68-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| ·参考文献 | 第79-82页 |
| 第四章 InGaAs场效应晶体管的电学特性和可靠性 | 第82-122页 |
| ·InGaAs场效应晶体管及其电学特性 | 第82-95页 |
| ·InGaAs场效应晶体管的偏压温度不稳定 | 第95-106页 |
| ·InGaAS场效应晶体管的陷阱模型 | 第106-113页 |
| ·InGaAs场效应晶体管的关态电流特性 | 第113-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| ·参考文献 | 第117-122页 |
| 第五章 总结与展望 | 第122-124页 |
| 攻读博士学位期间的论文发表情况 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |