| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·SOI的发展状况 | 第12页 |
| ·辐射环境和辐射效应 | 第12-14页 |
| ·辐射环境 | 第12-14页 |
| ·空间辐射环境 | 第12-13页 |
| ·核辐射环境 | 第13-14页 |
| ·辐射效应 | 第14页 |
| ·CMOS器件抗辐射技术 | 第14-15页 |
| ·体硅CMOS器件抗辐射技术 | 第14-15页 |
| ·SOI CMOS器件抗辐射技术 | 第15页 |
| ·本论文研究内容和结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI技术和总剂量辐射效应对SOI CMOS器件的影响 | 第17-31页 |
| ·SOI技术的优越性 | 第17-18页 |
| ·SOI材料制备技术 | 第18-20页 |
| ·注氧隔离技术（SIMOX） | 第18-19页 |
| ·UNIBOND | 第19-20页 |
| ·SOI MOSFET的类型 | 第20-22页 |
| ·部分耗尽型SOI MOSFET | 第21页 |
| ·全耗尽型SOI MOSFET | 第21-22页 |
| ·总剂量辐射效应 | 第22-29页 |
| ·总剂量辐射效应的基本原理 | 第22-25页 |
| ·总剂量辐射效应对SOI CMOS器件的影响 | 第25-29页 |
| ·总剂量辐射效应对SOI器件绝缘埋层的影响 | 第25-27页 |
| ·总剂量辐射效应对MOS器件阈值电压的影响 | 第27-28页 |
| ·总剂量辐射效应对MOS器件关态电流的影响 | 第28-29页 |
| ·总剂量辐射效应对MOS器件其他性能参数的影响 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 抗辐射SOI MOSFET器件结构的研究与设计 | 第31-38页 |
| ·抗总剂量辐射效应方法概述 | 第31-33页 |
| ·工艺上抗总剂量辐射效应的方法 | 第32页 |
| ·器件结构设计上抗总剂量辐射效应的方法 | 第32-33页 |
| ·抗辐射器件结构优化设计 | 第33-37页 |
| ·H形栅结构 | 第33-34页 |
| ·环形栅结构 | 第34-37页 |
| ·正方形环栅结构 | 第37页 |
| ·圆形环栅结构 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 H形栅SOI MOSFET的TCAD仿真和分析 | 第38-54页 |
| ·SOI MOSFET的TCAD仿真流程和工艺参数 | 第38-40页 |
| ·SOI MOSFET的TCAD仿真流程 | 第38-39页 |
| ·SOI MOSFET的仿真工艺参数 | 第39-40页 |
| ·条形栅SOI MOSFET的仿真和分析 | 第40-44页 |
| ·条形栅SOI MOSFET 的 3D仿真结构 | 第40页 |
| ·条形栅SOI MOSFE电学特性仿真 | 第40-44页 |
| ·条形栅SOI MOSFET转移特性和输出特性仿真和分析 | 第40-42页 |
| ·条形栅SOI MOSFET阈值电压和泄露电流参数的仿真与分析 | 第42-44页 |
| ·H形栅SOI MOSFET的TCAD仿真和分析 | 第44-52页 |
| ·H形栅SOI MOSFET的 3D仿真结构 | 第44页 |
| ·H形栅SOI MOSFET电学特性仿真和分析 | 第44-52页 |
| ·H形栅SOI MOSFET转移特性和输出特性仿真和分析 | 第44-50页 |
| ·H形栅SOI MOSFET阈值电压参数的仿真和分析 | 第50-51页 |
| ·H形栅SOI MOSFET泄露电流参数的仿真与分析 | 第51-52页 |
| ·H形栅和条形栅SOI MOSFET的电学特性仿真结果对比 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 环形栅SOI MOSFET的TCAD仿真和分析 | 第54-67页 |
| ·环形栅SOI MOSFET的仿真流程和工艺参数 | 第54页 |
| ·正方形环形栅SOI MOSFET的TCAD仿真和分析 | 第54-58页 |
| ·正方形环形栅SOI MOSFET 3D仿真结构 | 第54-55页 |
| ·正方形环形栅SOI MOSFET 3D电学特性仿真和分析 | 第55-58页 |
| ·正方形环形栅SOI MOSFET转移特性和输出特性仿真和分析 | 第55-57页 |
| ·正方形环形栅SOI MOSFET阈值电压参数的仿真和分析 | 第57页 |
| ·正方形环形栅SOI MOSFET泄露电流参数的仿真和分析 | 第57-58页 |
| ·圆形环形栅SOI MOSFET的TCAD仿真和分析 | 第58-62页 |
| ·圆形环形栅SOI MOSFET 3D仿真结构 | 第58-59页 |
| ·圆形环形栅SOI MOSFET 3D电学特性仿真和分析 | 第59-62页 |
| ·圆形环形栅SOI MOSFET转移特性和输出特性仿真和分析 | 第59-61页 |
| ·圆形环形栅SOI MOSFET阈值电压参数的仿真和分析 | 第61-62页 |
| ·圆形环形栅SOI MOSFET泄露电流参数仿真和分析 | 第62页 |
| ·环形栅与条形栅SOI MOSFET模拟仿真结果对比 | 第62-64页 |
| ·四种栅结构（条形栅、H形栅、正方形环栅和圆形环栅）仿真结果对比 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 附录 | 第74页 |
