当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
基于界面修饰的有机—无机界面能级排列研究
金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液法制备与应用研究
半导体纳米晶材料的合成及其在光电器件中的应用
基于开尔文探针力显微镜的有机半导体器件研究
有机半导体材料的激光特性研究
柔性微型AlGaInP-LED阵列的设计及柔性电极的研究
静电场辅助的压印光刻技术及其应用研究
基于MEMS技术的集成LED微阵列器件研究
极性可控的GaN与ZnO薄膜的MOCVD外延生长及其组合发光器件研究
功率MOSFET的开关动态过程建模和优化控制方法研究
AlGaN异质结雪崩光电二极管的结构设计与制备
用于饮用水中有害阴离子检测的GaN基HEMT传感器的研究
ZnO微纳米柱的生长、掺杂与性质研究
新型二维材料SnS2电子结构及其性能的调控研究
基于Petri网的多组合设备最优调度与控制
ZnO p-n结设计、制备及内嵌ZnMgO量子势垒对其光电性能调制作用的研究
碳化硅表面声子激元激发
SOI MOS晶体管伽马瞬时电离辐射模型研究
激光辐照下半导体材料杂质动力学及诱导损伤机理研究
基于兆声波技术的高深宽比TSV清洗工艺研究
新型蓝光有机电致发光材料的制备及性能研究
含苯基乙烯结构的AIE化合物的合成及性能研究
多支苯乙烯基共轭材料的合成及场效应性能研究
银表面等离子体增强有机电致发光特性研究
基于电渗驱动纳米压印技术研究
整片晶圆纳米压印关键技术的研究
高硅铝合金中初晶硅的细化研究
白光LED用磷酸盐荧光粉的制备及发光性能研究
基于不同原料体系的SiC纳米线量产化制备工艺研究
用于LED的发光玻璃的制备和性能研究
四苯基乙烯衍生物的合成及其性能研究
白光LED用NaLaBBO6荧光粉的发光性能研究
基于MOCVD方法的N面GaN材料生长及特性研究
SOI MOS器件辐射效应的机理与可靠性研究
单轴应变Si NMOSFET模型及模拟技术研究
太赫兹波段GaN基共振隧穿器件的研究
CMOS反相器和GaAs HEMT器件的HPM效应研究
双极型半导体器件低剂量率增强效应的1/f噪声表征研究
氮化镓HEMT结构肖特基二极管机理及E/D模集成电路研究
氮化镓基半导体电力电子器件击穿机理研究
蓝宝石低能离子束刻蚀纳米微结构及光学性能研究
探测器用CdZnTe晶体载流子输运过程的研究
基于驱动时序的CCD曝光时间控制技术研究
红外调制光谱研究Ⅲ-Ⅴ族窄禁带锑化物与稀铋半导体电子能带结构
基于无序结构及重掺杂半导体超材料吸收体的研究
延伸波长InGaAs探测器的表面与界面研究
La2O3漏电流机制及能带研究
基于量子遗传算法的功率二极管物理模型参数提取研究
软刻蚀用母模板的聚焦离子束刻蚀技术制备研究
N极性GaN HEMT的GaN/AlGaN异质结基础研究
上一页
[95]
[96]
[97]
[98]
[99]
下一页