摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第12-24页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第12-13页 |
1.2 相关领域的研究现状 | 第13-16页 |
1.2.1 激光器的基本组成 | 第13-14页 |
1.2.2 有机半导体激光增益介质简介 | 第14-16页 |
1.3 有机半导体光物理理论 | 第16-21页 |
1.3.1 光吸收和辐射 | 第16-17页 |
1.3.2 受激吸收 | 第17-18页 |
1.3.3 自发辐射和受激辐射 | 第18-20页 |
1.3.4 放大自发辐射 | 第20页 |
1.3.5 四能级系统 | 第20-21页 |
1.4 光泵浦有机半导体激光器 | 第21-24页 |
1.4.1 有机染料激光器 | 第21-22页 |
1.4.2 有机激光器的结构 | 第22-24页 |
第2章 研究方法 | 第24-30页 |
2.1 薄膜的制备 | 第24页 |
2.2 光物理性质测试 | 第24-25页 |
2.3 放大自发辐射测试 | 第25-30页 |
第3章 苯并咪唑类衍生物BBPI的放大自发辐射特性 | 第30-39页 |
3.1 研究背景及现状 | 第30页 |
3.2 实验部分 | 第30-32页 |
3.3 BBPI的放大自发辐射特性 | 第32-38页 |
3.3.1 光物理性质研究 | 第32-33页 |
3.3.2 ASE性质研究 | 第33-36页 |
3.3.3 增益系数和受激发射截面 | 第36-38页 |
3.4 本章小结 | 第38-39页 |
第4章 芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜ASE稳定性研究 | 第39-52页 |
4.1 研究背景及现状 | 第39-42页 |
4.2 实验部分 | 第42-44页 |
4.2.1 实验材料 | 第42页 |
4.2.2 样品制备 | 第42-43页 |
4.2.3 实验光路图及实验装置 | 第43-44页 |
4.3 Ph BOD、Na BOD和En BOD薄膜的放大自发辐射特性 | 第44-51页 |
4.3.1 光物理性质研究 | 第44-46页 |
4.3.2 ASE稳定性研究 | 第46-49页 |
4.3.3 ASE稳定性的理论计算 | 第49-51页 |
4.4 小结 | 第51-52页 |
第5章 高反射率复合电极的设计与制备 | 第52-64页 |
5.1 研究背景及意义 | 第52-53页 |
5.2 高反射率复合电极的设计 | 第53-60页 |
5.2.1 光学薄膜系统的计算 | 第53-57页 |
5.2.2 metal/dielectric/metal结构复合电极的设计 | 第57-58页 |
5.2.3 DBR+WAW结构高反射率复合阳极的设计 | 第58-60页 |
5.3 高反射率复合电极的反射率 | 第60-62页 |
5.3.1 Ag(100nm)/YF_3(175nm)/Ag(12nm)复合电极的反射率 | 第60-61页 |
5.3.2 (TiO_2/SiO_2)^10/WO_3(46nm)/Ag(11nm)/WO_3(20nm)的反射率 | 第61-62页 |
5.4 小结 | 第62-64页 |
第6章 结论与展望 | 第64-66页 |
6.1 结论 | 第64-65页 |
6.2 研究展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-78页 |
在学期间学术成果情况 | 第78-79页 |
指导教师及作者简介 | 第79-80页 |
致谢 | 第80页 |