摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-34页 |
1.1 论文研究背景和意义 | 第12页 |
1.2 LED的特点及发展介绍 | 第12-17页 |
1.2.1 LED特点介绍 | 第12-14页 |
1.2.2 LED的发展历程 | 第14-17页 |
1.3 微型LED阵列器件的特点与发展现状 | 第17-31页 |
1.3.1 微型LED阵列器件的特点 | 第17-19页 |
1.3.2 微型LED阵列器件的发展现状 | 第19-31页 |
1.4 MEMS技术的介绍 | 第31-32页 |
1.5 论文主要研究内容和结构安排 | 第32-34页 |
1.5.1 论文工作的主要内容 | 第32-33页 |
1.5.2 论文的结构安排 | 第33-34页 |
第2章 LED的工作原理及理论基础 | 第34-54页 |
2.1 LED的工作原理 | 第34-36页 |
2.2 LED的材料 | 第36页 |
2.3 LED的光电性能 | 第36-50页 |
2.3.1 电流-电压特征 | 第36-37页 |
2.3.2 发光特性 | 第37-39页 |
2.3.3 电学特性 | 第39-43页 |
2.3.4 LED的效率 | 第43-45页 |
2.3.5 LED的热效应 | 第45-50页 |
2.4 LED的颜色及白光调制 | 第50-52页 |
2.5 小结 | 第52-54页 |
第3章 尺寸效应对AlGa InP-LED光电性能的影响 | 第54-68页 |
3.1 芯片尺寸对LED电流密度影响 | 第54-57页 |
3.2 LED芯片阵列化效应分析 | 第57-59页 |
3.3 LED芯片模组中芯片间距及芯片数对光照度的影响 | 第59-65页 |
3.4 多颗LED芯片模组阵列化前后光照度对比 | 第65-67页 |
3.5 本章小结 | 第67-68页 |
第4章 阳极电极结构对AlGaInP-LED性能的影响 | 第68-82页 |
4.1 器件的结构及参数 | 第68-70页 |
4.2 分析工具及基本原理 | 第70-72页 |
4.3 模型建立及电极结构设计 | 第72-74页 |
4.4 电流密度分布计算及分析 | 第74-79页 |
4.4.1 电流密度分布 | 第74-75页 |
4.4.2 数值分析 | 第75-79页 |
4.5 测试结果与模拟结果对比 | 第79-81页 |
4.6 本章小结 | 第81-82页 |
第5章 AlGaInP-LED微阵列器件的制作 | 第82-110页 |
5.1 AlGaIn P-LED微阵列器件结构及制作工艺设计 | 第82-86页 |
5.1.1 AlGaInP-LED微阵列器件结构设计 | 第82-84页 |
5.1.2 AlGaInP-LED微阵列器件制作工艺流程设计 | 第84-86页 |
5.2 高深宽比隔离沟道的制作及测试 | 第86-89页 |
5.2.1 ICP刻蚀法制作高深宽比沟道 | 第86-87页 |
5.2.2 机械划片法制作高深宽比沟道 | 第87-89页 |
5.3 桥连电极介质桥的制作 | 第89-96页 |
5.3.1 PI膜“搭桥”法制作介质桥 | 第90-92页 |
5.3.2 PI材料填充沟道法制作介质桥 | 第92-96页 |
5.4 沟道填充SEM测试及方案改进 | 第96-98页 |
5.5 微阵列器件桥连电极的制作 | 第98-101页 |
5.6 微阵列器件衬底的减薄 | 第101-103页 |
5.7 微阵列器件性能测试 | 第103-108页 |
5.7.1 部分像素驱动及像素性能测试 | 第103-105页 |
5.7.2 GaAs衬底厚度对像素性能的影响 | 第105-108页 |
5.8 本章小结 | 第108-110页 |
第6章 宽间距柔性AlGa InP-LED微阵列器件的方案设计及验证 | 第110-120页 |
6.1 多次掩膜化学腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道 | 第110-113页 |
6.2 错位腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道 | 第113-118页 |
6.2.1 牺牲像素错位腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道 | 第113-116页 |
6.2.2 不牺牲像素错位腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道方案 | 第116-118页 |
6.3 本章小结 | 第118-120页 |
第7章 总结与展望 | 第120-124页 |
7.1 总结 | 第120-121页 |
7.2 创新点 | 第121-122页 |
7.3 展望 | 第122-124页 |
参考文献 | 第124-134页 |
在学期间学术成果情况 | 第134-136页 |
指导教师及作者简介 | 第136-138页 |
致谢 | 第138-139页 |