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基于MEMS技术的集成LED微阵列器件研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第12-34页
    1.1 论文研究背景和意义第12页
    1.2 LED的特点及发展介绍第12-17页
        1.2.1 LED特点介绍第12-14页
        1.2.2 LED的发展历程第14-17页
    1.3 微型LED阵列器件的特点与发展现状第17-31页
        1.3.1 微型LED阵列器件的特点第17-19页
        1.3.2 微型LED阵列器件的发展现状第19-31页
    1.4 MEMS技术的介绍第31-32页
    1.5 论文主要研究内容和结构安排第32-34页
        1.5.1 论文工作的主要内容第32-33页
        1.5.2 论文的结构安排第33-34页
第2章 LED的工作原理及理论基础第34-54页
    2.1 LED的工作原理第34-36页
    2.2 LED的材料第36页
    2.3 LED的光电性能第36-50页
        2.3.1 电流-电压特征第36-37页
        2.3.2 发光特性第37-39页
        2.3.3 电学特性第39-43页
        2.3.4 LED的效率第43-45页
        2.3.5 LED的热效应第45-50页
    2.4 LED的颜色及白光调制第50-52页
    2.5 小结第52-54页
第3章 尺寸效应对AlGa InP-LED光电性能的影响第54-68页
    3.1 芯片尺寸对LED电流密度影响第54-57页
    3.2 LED芯片阵列化效应分析第57-59页
    3.3 LED芯片模组中芯片间距及芯片数对光照度的影响第59-65页
    3.4 多颗LED芯片模组阵列化前后光照度对比第65-67页
    3.5 本章小结第67-68页
第4章 阳极电极结构对AlGaInP-LED性能的影响第68-82页
    4.1 器件的结构及参数第68-70页
    4.2 分析工具及基本原理第70-72页
    4.3 模型建立及电极结构设计第72-74页
    4.4 电流密度分布计算及分析第74-79页
        4.4.1 电流密度分布第74-75页
        4.4.2 数值分析第75-79页
    4.5 测试结果与模拟结果对比第79-81页
    4.6 本章小结第81-82页
第5章 AlGaInP-LED微阵列器件的制作第82-110页
    5.1 AlGaIn P-LED微阵列器件结构及制作工艺设计第82-86页
        5.1.1 AlGaInP-LED微阵列器件结构设计第82-84页
        5.1.2 AlGaInP-LED微阵列器件制作工艺流程设计第84-86页
    5.2 高深宽比隔离沟道的制作及测试第86-89页
        5.2.1 ICP刻蚀法制作高深宽比沟道第86-87页
        5.2.2 机械划片法制作高深宽比沟道第87-89页
    5.3 桥连电极介质桥的制作第89-96页
        5.3.1 PI膜“搭桥”法制作介质桥第90-92页
        5.3.2 PI材料填充沟道法制作介质桥第92-96页
    5.4 沟道填充SEM测试及方案改进第96-98页
    5.5 微阵列器件桥连电极的制作第98-101页
    5.6 微阵列器件衬底的减薄第101-103页
    5.7 微阵列器件性能测试第103-108页
        5.7.1 部分像素驱动及像素性能测试第103-105页
        5.7.2 GaAs衬底厚度对像素性能的影响第105-108页
    5.8 本章小结第108-110页
第6章 宽间距柔性AlGa InP-LED微阵列器件的方案设计及验证第110-120页
    6.1 多次掩膜化学腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道第110-113页
    6.2 错位腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道第113-118页
        6.2.1 牺牲像素错位腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道第113-116页
        6.2.2 不牺牲像素错位腐蚀法制作柔性LED宽间距沟道方案第116-118页
    6.3 本章小结第118-120页
第7章 总结与展望第120-124页
    7.1 总结第120-121页
    7.2 创新点第121-122页
    7.3 展望第122-124页
参考文献第124-134页
在学期间学术成果情况第134-136页
指导教师及作者简介第136-138页
致谢第138-139页

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