| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 扫描探针显微镜（scanning probe microscope，SPM）的发展 | 第11-12页 |
| 1.2 AFM的基本成像原理及工作模式 | 第12-17页 |
| 1.3 KPFM相关理论 | 第17-28页 |
| 1.3.1 AFM探针-样品作用力及探针动力学 | 第17-20页 |
| 1.3.2 轻敲模式相图 | 第20-22页 |
| 1.3.3 EFM与KPFM原理 | 第22-28页 |
| 1.4 KPFM的应用 | 第28-37页 |
| 1.4.1 KPFM的数据含义 | 第28-31页 |
| 1.4.2 KPFM实验细节及数据分析 | 第31-34页 |
| 1.4.3 KPFM在有机半导体器件中的应用 | 第34-37页 |
| 1.5 本文研究思路及内容 | 第37-39页 |
| 第2章 基于KPFM的电荷注入和测量的技术实现 | 第39-67页 |
| 2.1 引言 | 第39-41页 |
| 2.2 绝缘聚合物薄膜表面的电荷注入 | 第41-46页 |
| 2.2.1 工作模式的选择 | 第42-44页 |
| 2.2.2 探针行为控制 | 第44-45页 |
| 2.2.3 高偏压电荷注入 | 第45-46页 |
| 2.3 绝缘聚合物表面的电荷测量及条件控制 | 第46-60页 |
| 2.3.1 电荷的扩散与湿度控制 | 第46-49页 |
| 2.3.2 电荷泄露与测量方法改进 | 第49-53页 |
| 2.3.3 抬升高度对电荷测量的影响 | 第53-56页 |
| 2.3.4 高表面电势测量 | 第56-60页 |
| 2.4 球形金纳米颗粒的电荷注入及测量问题 | 第60-64页 |
| 2.5 本章小结 | 第64-67页 |
| 第3章 有机场效应晶体管中的电荷捕获行为研究 | 第67-81页 |
| 3.1 引言 | 第67页 |
| 3.2 基于OFET的非挥发性存储器的纳米浮栅层电荷捕获机理研究 | 第67-76页 |
| 3.2.1 实验方法和理论基础 | 第69-72页 |
| 3.2.2 纳米浮栅层的电荷捕获行为 | 第72-76页 |
| 3.3 有机场效应晶体管在位KPFM表征方法的建立 | 第76-79页 |
| 3.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第4章 全聚合物太阳能电池的相分离研究 | 第81-119页 |
| 4.1 引言 | 第81-83页 |
| 4.2 KPFM结果分析与体异质结面下成像 | 第83-100页 |
| 4.2.1 四水平CPD图 | 第83-88页 |
| 4.2.2 CPD值与体异质结的纵向结构 | 第88-96页 |
| 4.2.3 基于KPFM的面下成像 | 第96-100页 |
| 4.3 工艺参数对体异质结相分离的影响 | 第100-109页 |
| 4.3.1 溶液浓度对体异质结相分离的影响 | 第101-103页 |
| 4.3.2 给体受体质量比对体异质结相分离的影响 | 第103-105页 |
| 4.3.3 热退火对体异质结相分离的影响 | 第105-109页 |
| 4.4 光照下的在位KPFM表征 | 第109-116页 |
| 4.4.1 光照下的在位KPFM表征实验平台搭建 | 第109-110页 |
| 4.4.2 体异质结中光生载流子的传输行为 | 第110-114页 |
| 4.4.3 体异质结中的电荷捕获现象 | 第114-116页 |
| 4.5 本章小结 | 第116-119页 |
| 第5章 总结与展望 | 第119-122页 |
| 5.1 总结 | 第119-120页 |
| 5.2 展望 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-136页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第136-138页 |
| 附录 | 第138-166页 |
| A.定点电荷注入C语言程序代码： | 第138-141页 |
| B.点阵电荷注入C语言程序代码： | 第141-146页 |
| C.基于CPD轮廓曲线计算电势体积的C语言程序代码： | 第146-152页 |
| D.批量计算电势体积的C语言程序代码： | 第152-162页 |
| E.基于CPD轮廓曲线计算电势体积和电势面积随时间和抬升高度变化的C语言程序代码 | 第162-166页 |
| 致谢 | 第166-168页 |
