| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-43页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物的基本结构和性质 | 第13-19页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构及物理特性 | 第13-15页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物的极化效应 | 第15-19页 |
| 1.3 雪崩光电二极管的基本原理和主要性能参数 | 第19-26页 |
| 1.3.1 APD的工作原理 | 第19-20页 |
| 1.3.2 APD的主要性能参数 | 第20-26页 |
| 1.4 Ⅲ族氮化物紫外探测器件的研究现状 | 第26-36页 |
| 1.4.1 紫外探测技术 | 第26-27页 |
| 1.4.2 Ⅲ族氮化物光电探测器件的常见结构 | 第27-31页 |
| 1.4.3 Ⅲ族氮化物存在的问题 | 第31-33页 |
| 1.4.4 AlGaN日盲APD的研究现状 | 第33-36页 |
| 参考文献 | 第36-43页 |
| 第二章 异质结增强型AlGaN日盲APD的结构设计 | 第43-66页 |
| 2.1 引言 | 第43页 |
| 2.2 物理模型 | 第43-51页 |
| 2.2.1 漂移-扩散模型 | 第43-44页 |
| 2.2.2 载流子统计模型 | 第44-45页 |
| 2.2.3 迁移率模型 | 第45-46页 |
| 2.2.4 载流子产生复合模型 | 第46-48页 |
| 2.2.5 带间隧穿模型和雪崩离化系数模型 | 第48-49页 |
| 2.2.6 空间电荷不完全离化模型 | 第49-51页 |
| 2.3 数值算法 | 第51页 |
| 2.4 SAM型APD的设计原理 | 第51-54页 |
| 2.5 异质结增强型AlGaN APD的结构设计 | 第54-61页 |
| 2.5.1 异质结增强型APD的结构参数 | 第55-56页 |
| 2.5.2 异质结增强型APD的I-V特性以及电场分布 | 第56-58页 |
| 2.5.3 低Al组分倍增层的组分的影响以及组分优化 | 第58-60页 |
| 2.5.4 异质结增强型APD的光谱响应 | 第60-61页 |
| 2.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 第三章 高增益AlGaN异质结深紫外APD的结构设计 | 第66-79页 |
| 3.1 引言 | 第66页 |
| 3.2 AlGaN异质结APD的设计原理 | 第66-70页 |
| 3.3 高增益AlGaN异质结APD的结构优化 | 第70-76页 |
| 3.3.1 n型插入层掺杂浓度和厚度的优化 | 第70-74页 |
| 3.3.2 n型插入层Al组分的优化 | 第74-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第四章 AlGaN异质结深紫外APD的制备及光电特性研究 | 第79-97页 |
| 4.1 引言 | 第79-80页 |
| 4.2 AlGaN深紫外雪崩探测器的材料表征 | 第80-83页 |
| 4.3 AlGaN深紫外雪崩探测器的制备工艺的优化 | 第83-87页 |
| 4.3.1 三台面工艺 | 第83-85页 |
| 4.3.2 光电化学处理 | 第85-87页 |
| 4.4 AlGaN深紫外雪崩探测器的制备工艺流程 | 第87-90页 |
| 4.5 AlGaN深紫外雪崩探测器的光电学性能表征 | 第90-93页 |
| 4.5.1 AlGaN深紫外雪崩探测器的I-V特性及雪崩增益 | 第90-92页 |
| 4.5.2 AlGaN深紫外雪崩探测器的光谱响应曲线 | 第92-93页 |
| 4.6 本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第五章 总结与展望 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读博士期间发表的论文以及参加的会议 | 第100-101页 |
