| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-28页 |
| ·宽禁带半导体材料GaN研究背景 | 第20-21页 |
| ·太赫兹技术的研究背景 | 第21-26页 |
| ·太赫兹波的定义及特点 | 第21-22页 |
| ·太赫兹半导体辐射源概述 | 第22-24页 |
| ·太赫兹共振隧穿器件的研究背景和现状 | 第24-26页 |
| ·本论文研究工作和安排 | 第26-28页 |
| 第二章 GaN基共振隧穿二极管器件模型及数值仿真方法 | 第28-48页 |
| ·共振隧穿器件的分类及工作原理 | 第28-32页 |
| ·势阱中能量的量子化 | 第29-30页 |
| ·共振隧穿效应 | 第30页 |
| ·共振隧穿二极管中的电流成分 | 第30-32页 |
| ·峰值电压的组成 | 第32页 |
| ·Silvaco-Altas模拟软件简介 | 第32-35页 |
| ·Silvaco-Altas的基本方程 | 第33-34页 |
| ·Silvaco-Altas数值计算过程 | 第34-35页 |
| ·GaN基RTD材料参数及模型解析 | 第35-38页 |
| ·GaN基材料的物理参数 | 第35-36页 |
| ·GaN基RTD材料的极化效应 | 第36-38页 |
| ·GaN、AlGa N和InAlN材料速场关系的计算 | 第38-45页 |
| ·GaN低场迁移率模型 | 第40-41页 |
| ·AlGaN低场迁移率模型 | 第41-42页 |
| ·GaN高场速场关系模型 | 第42-43页 |
| ·AlGaN高场速场关系模型 | 第43-44页 |
| ·In AlN高场速场关系模型 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-48页 |
| 第三章 AlGaN/GaN共振隧穿二极管特性研究 | 第48-70页 |
| ·RTD的材料结构设计和工艺设计 | 第48-53页 |
| ·RTD的材料结构设计 | 第48-50页 |
| ·RTD的工艺设计 | 第50-53页 |
| ·GaN基RTD材料的模拟计算 | 第53-57页 |
| ·GaN基RTD材料的极化计算 | 第53-56页 |
| ·泊松-薛定谔方程的自洽求解 | 第56-57页 |
| ·AlGaN/GaN RTD的直流特性 | 第57-64页 |
| ·模拟计算中采用的RTD结构 | 第57页 |
| ·器件的负微分电阻特性和滞回效应 | 第57-59页 |
| ·势阱宽度对NDR特性影响 | 第59页 |
| ·势垒厚度对NDR特性影响 | 第59-60页 |
| ·发射区掺杂对NDR特性影响 | 第60-61页 |
| ·发射区面积对NDR特性影响 | 第61页 |
| ·隔离层厚度对NDR特性影响 | 第61-62页 |
| ·Al组分变化对NDR特性的影响 | 第62-64页 |
| ·AlGaN/GaN RTD和传统AlGaAs/GaAs RTD的比较 | 第64页 |
| ·AlGaN/GaN RTD性能退化的机理研究 | 第64-68页 |
| ·陷阱中心的参数和模型 | 第65-66页 |
| ·退化机理的分析 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 近晶格匹配In AlN/GaN共振隧穿二极管特性研究 | 第70-84页 |
| ·近晶格匹配In AlN/GaN异质结材料特性 | 第70-73页 |
| ·In AlN/GaN RTD的直流特性 | 第73-78页 |
| ·In AlN/GaN RTD的结构和计算参数 | 第73-74页 |
| ·器件的I-V特性和滞回效应 | 第74-76页 |
| ·量子阱结构变化对器件I-V特性影响 | 第76-78页 |
| ·发射区掺杂对器件I-V特性影响 | 第78页 |
| ·In AlN/GaN RTD的退化机理分析 | 第78-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 新型In GaN/In AlN/GaN/InAlN双量子阱共振隧穿二极管特性分析 | 第84-98页 |
| ·共振隧穿理论分类 | 第84-87页 |
| ·共振隧穿的两种物理理论模型 | 第84-86页 |
| ·不同维度下的隧穿模型 | 第86-87页 |
| ·具有In GaN子量子阱结构的InAlN/GaN RTD直流特性 | 第87-93页 |
| ·器件结构及参数 | 第87-89页 |
| ·器件的能带图 | 第89-90页 |
| ·器件的直流特性 | 第90-91页 |
| ·量子阱结构变化对NDR特性影响 | 第91-93页 |
| ·In组分变化对器件特性影响 | 第93-95页 |
| ·器件退化现象分析 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 GaN基共振隧穿二极管交流特性分析 | 第98-106页 |
| ·共振隧穿二极管的直流等效模型 | 第98-100页 |
| ·以物理参数为基础的I-V模型 | 第98-99页 |
| ·高斯函数-指数函数模型 | 第99-100页 |
| ·共振隧穿二极管的交流模型 | 第100-102页 |
| ·R_n C等效电路模型 | 第100-101页 |
| ·量子阱电感等效电路模型 | 第101-102页 |
| ·GaN基RTD负阻振荡器和交流特性 | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第七章 结论和展望 | 第106-110页 |
| ·研究结论 | 第106-107页 |
| ·研究展望 | 第107-110页 |
| 参考文献 | 第110-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 作者简介 | 第120-122页 |
