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双极型半导体器件低剂量率增强效应的1/f噪声表征研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
符号对照表第13-17页
缩略语对照表第17-21页
第一章 绪论第21-27页
   ·研究背景和研究意义第21-22页
   ·低剂量率损伤增强效应国内外研究现状第22-25页
     ·国外研究现状第22-24页
     ·国内研究现状第24-25页
   ·论文的主要内容第25-27页
第二章 双极型半导体器件的辐照退化效应及噪声理论第27-41页
   ·辐照环境第27-28页
     ·空间辐照环境第27页
     ·核辐照环境第27页
     ·模拟源环境第27-28页
   ·硅双极半导体器件的辐照效应第28-30页
     ·电离效应第28-29页
     ·位移效应第29-30页
   ·辐照在双极器件中产生的缺陷第30-36页
     ·界面态第30-33页
     ·氧化物陷阱电荷第33-36页
   ·双极器件的噪声第36-40页
     ·1/f噪声第36-39页
     ·G-R噪声第39页
     ·热噪声第39-40页
     ·散粒噪声第40页
   ·小结第40-41页
第三章 双极晶体管低剂量率辐照损伤增强效应的1/f噪声表征研究第41-65页
   ·引言第41-42页
   ·PNP晶体管的辐照实验和结果第42-50页
     ·双极晶体管的噪声测量方法第42-45页
     ·双极晶体管的低频噪声测试系统第45-47页
     ·实验样品和辐照实验第47-48页
     ·实验结果第48-50页
   ·PNP晶体管电离辐照效应研究第50-59页
     ·发射结空间电荷区表面复合电流退化模型第51-57页
     ·基于辐照效的PNP晶体管噪声模型第57-59页
   ·实验结果分析第59-63页
     ·基极电流退化第59-61页
     ·基极电流噪声退化第61-63页
   ·小结第63-65页
第四章 NPN晶体管低剂量率辐照损伤增强效应的 1/f噪声表征以及辐照感生电荷分离的研究第65-85页
   ·NPN晶体管辐照实验和结果第65-68页
     ·实验第65页
     ·实验结果第65-68页
   ·NPN晶体管电离辐照效应研究第68-76页
     ·基极表面耗尽第69-71页
     ·电流退化模型第71-73页
     ·1/f噪声表征模型第73-74页
     ·实验结果分析第74-76页
   ·基于 1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离方法第76-83页
     ·现有的双极器件的辐照感生电荷的定量分离方法第76-80页
     ·基于 1/f噪声的辐照感生电荷的分离方法第80-83页
   ·小结第83-85页
第五章 双极线性稳压器剂量率辐照损伤增强效应的 1/f噪 声表征研究第85-101页
   ·引言第85-86页
   ·实验与结果第86-92页
     ·实验样品与实验方法第86-87页
     ·线性集成稳压器的测试注意事项第87页
     ·实验结果第87-92页
   ·辐照损伤机理分析第92-98页
     ·输出电压第92-95页
     ·输出噪声第95-98页
   ·小结第98-101页
第六章 探测器电源电路的辐照效应的 1/f噪声表征研究第101-109页
   ·探测器的电源电路第101-104页
     ·电源电路的组成第101-102页
     ·电源电路的各个组成部分的原理介绍第102-104页
   ·稳压二极管的辐照效应第104-106页
     ·实验第104页
     ·结果与讨论第104-106页
   ·电源电路的辐照效应第106-108页
     ·实验第106-107页
     ·结果与讨论第107-108页
   ·小结第108-109页
第七章 结论第109-111页
参考文献第111-125页
致谢第125-127页
作者简介第127-129页

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